《铁机》通信电子电路课件-于洪珍(第7章).pptVIP

1．中频干扰 解决措施： 主要是提高变频器前面电路的选择性，增强对中频信号的抑制 或设置中频陷波器。 当干扰信号频率 时（即m=0，n＝1），如果接收机输入 回路选择性不好，该信号进入变频器，并被放大，从而产生干扰。 2.镜频干扰 问题： 当 fS =1000kHz， fL=1465kHz，调谐于中频465kHz，干扰信号频率 fn=1930kHz，能不能抑制？ 1930–1465 = 465kHz 当 fn = fL + fI ，相应的干扰电台频率等于本振频率 fL 与中频 fI 之和。 如果将 fL 所在的位置比作一面镜子，则 fs 与 fn 分别位于fL的两侧，且距离相等，互为镜像，故称为镜频干扰，又称为镜像干扰。 抑制它的主要方法是提高变频级前电路的选择性。 （即 m=n=1） 3．组合副波道干扰 除上述两种情况外，在式（7-10）中， 当 （例如，m= n =2，则对应 ）均称为组合副波道干扰。 例如，fs=660kHz，fL=1125kHz时，（fI=465kHz）对应的二次组合干扰频率代入式（7-11）中， 可算出fn1=892.5 kHz，fn2=1357.5 kHz。 m= n =2 7.8.3 交调和互调干扰 有些干扰信号频率不满足式（7－10）的关系，不能和本振及其谐波产生等于中频的和、差频。但由于器件的非线性，仍有可能产生干扰作用。 分类（干扰形成原因不同） ： 交叉调制（简称交调）干扰和互相调制（简称互调）干扰。 危害： 由于晶体管的动态线性区域小，比电子管、场 效应管更易呈现 非线性，所以这类干扰更严重。 1. 交调干扰 形成原因： 非线性器件的 i = f (t) 展开成泰勒级数,其四阶项为a4u4。设 u = uJ + us + uL , 这里 uJ = UJ (1+mJcosΩJt) cosωJ t干扰信号 us= Us cosωct uL = ULcosωLt 将这三个信号带入四阶项，可分解为6a4uJ2uSuL，其中有 3UJ2USUL(1+mJCOSΩJt)2cosωIt/2， 可以通过混频器后面的通道，对有用信号形成干扰。 结论： 交调的产生是由接收机中高放管或混频管转移特性的非线性引起的。 产生现象： 当接收机接收的电台信号和干扰台的信号同时作用于 接收机的 输入端时，如果接收机对接收信号调谐，可清 楚地听到干扰台的调制声音。若接收机对接收信号失谐， 干扰台的调制声也随 之减弱。在接收台停止工作时，干 扰台的调制声音也就听不见了。这种现象犹如干扰电台的 声音“调制”在所接收信号的载频上。接收信号失谐，交调 就减弱；接收信号消失，则交调也随之消失。 解决措施： 2 ．互调干扰 定义： 7.4.1 三极管混频电路的几种形式 三极管混频器按本振信号接入的不同，一般有四种电路形式。 图（a，b）是共发射极电路的形式， 图（c，d）是共基极电路的两种形式。 共发射极电路多用于频率较低的情况： 图（a）：信号与本振分别由基极和发射极注入，相互影响小，但 本振需要功率大。 图（b）: 信号与本振都由基极注入，相互影响大，但本振需要功 率小。 共基极电路多用于频率较高的情况，当工作频率不高时，变频增益比发射极电路低。图（d）比图（c）相互影响小 。 7.4.2 变频器工作状态选择 略。 7.4.3 晶体管变频电路应用举例 图7-6 （a）晶体管他激式变频器 图7-6 （b）晶体管自激式变频器 7.5 超外差接收机的统调与跟踪? 统调: 在超外差接收中，为了调谐方便，希望高频调 谐回路（输入回路、高放回路）与本振回路，实行 统一调谐。 采用的方式： 通常采用的每波段中最低到最高频率的调谐， 由同轴可变电容器进行，而改变波段则采用改变固 定电感的方法。 优点： 方便 缺点： 直接产生中频 fI 困难。 跟踪： fs 与 fL 为固定 fI 而进行的统调。 统调产生的问题： 相应的 fL 回路（fmi