《电工及电子技术基础》模拟试题及答案.doc

《电工及电子技术基础》复习资料 一、填 空： （本大题包括10小题，每小题2分，共计20分） 1．实际电压源的内阻越小，其特性越接接近于理想________源。 2．电路中电位参考点发生变化后，其它各点的电位_______________________ 。 3．在对称三相电路中，若负载作三角形连接，其相电流iAB=5sin(314t+60°)A。则线电流 iA=________________________A。 4．某正弦交流电压u的初相位为45°，在t=0时u=220V，则u的有效值为_______V。 5．若电源电压有效值保持不变，而电源频率提高时，R、C串联正弦交流电路的电流有效值将_________。 6．二极管最重要的特性是_________________。 7．三极管由放大状态变为截止状态后，电路中将出现的特征是________________。 8．某三极管发射结反偏，集电结也反偏时，此三极管的工作状态为_____________。 9．单相桥式整流电路，接负载RL=100Ω，电源电压u2=×20sinωt V，则负载电流的平均值IL为_____________。 10．基本R-S触发器，输入端RD、SD禁用的状态为________________。 二、kΩ的电阻与另一阻值为1kΩ的电阻并联后，再与一阻值为1kΩ的电阻串联，根据工程近似的的观点，它们并、串联后的等效电阻值为（ ） A．0.5kΩ B．1kΩ C．2kΩ D．100kΩ 12．基尔霍夫电压定律、电流定律（ ） A．与电路结构有关，与元件性质无关 B.与电路结构有关，与元件性质也有关 C．与电路结构无关，与元件性质有关 D.与电路结构无关，与元件性质也无关 13．直流电路如图1所示，E=15V，IK=5A，R=5Ω，恒压源E的工作状况是（ ） A．发出功率75W B．吸收功率75W C．发出功率30W D．吸收功率30W 14．R、L串联的正弦交流电路如图2所示，若uR=5sin(ωt+10°)V，uL=5sin(ωt+100°)V，则总电压u为（ ） A．5sin(ωt+45°)V B．10sin(ωt+55°)V C．5sin(ωt+110°)V D．10sin(ωt+70°)V 15．有关图3中所示电路电流的下列计算公式中，错误的是（ ） A． B． C． D． 16．负载为△连接的三相对称电路，若每相负载有功功率为30W，则三相有功功率为（ ） A．0 B．30W C．90W D．90W 17．三相异步电动机的电磁转矩T与（ ） A．定子电流成反比 B．定子电压成正比 C．定子电压平方成反比 D．定子电压平方成正比 18．在掺杂半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ） A．杂质浓度 B．掺杂工艺 C．晶体缺欠 D．温度 19．PN结的空间电荷的组成是（ ） A．正离子与电子 B．负离子与空穴 C．正离子与负离子 D．电子与空穴 20．PN结未加外部电压时，扩散电流与漂移电流是（ ） A．只有扩散电流没有漂移电流 B．只有漂移电流没有扩散电流 C．扩散电流与漂移电流均存在，且前者大于后者 D．扩散电流与漂移电流均存在，且相等 21．锗二极管的死区电压约为（ ） A．0.1 V左右 B．0.3 V左右 C．0.5 V左右 D．0.7 V左右 22．PNP型与NPN型三极管主要区别为（ ） A．必需由两种不同材料（硅、锗）制造 B．必需掺杂不同的元素 C．N区与P区的位置安排不同 D．掺杂的浓度不同 23．处于放大状态的三极管，其发射结（e结）及集电结（c结）的偏置情况为（ ） A．c结反偏，e结正偏 B．c结正偏，e结反偏 C．c结正偏，e结正偏 D．c结反偏，e结反偏 24．对半导体三极管而言，不正确的说法是（ ） A．三极管的参数β与温度有关 B．硅材料只能制造NPN型三极管 C．三极关在放大状态时，e结为正偏，c结为反偏 D．三极管的参数ICEO与温度有关 25．单相桥式整流电路，交流电源U2=20V，工作中突然发生一只二极管脱焊，则输出电压UL等于（ ） A．20V B．18V C．10V D．9V 26．表示基本触发器的置0端的文字符号为（ ） A．SD B．RD C．Q D． 三、r