氯化铯纳米岛生长技术.pdfVIP

第14卷第1期 功能材料与器件学报 VoL14．No．1 OFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES 2008年2月 JOURNAL Feb．，2008 文章编号：1007-4252(2008)01-0189—04 氯化铯纳米岛生长技术 罗亮1’2，伊福廷1，张菊芳1 (1．中国科学院高能物理研究所，北京100049；2．中国科学院研究生院，北京100049) 摘要：氯化铯纳米岛光刻技术是一种分子自组装光刻技术，该技术利用氯化铯在一定湿度下的自组 装特性来形成具有一定尺寸和分布的原始氯化铯纳米岛结构，通过调整工艺条件可以适度控制氯 化铯岛结构的尺寸和覆盖率。氯化铯岛结构的尺寸和覆盖率主要取决于氯化铯薄膜厚度、显影时 间和相对湿度，其中膜厚的影响最大。通常在其他条件不变的情况下，薄膜越厚覆盖率越高，而显 影时间越长覆盖率则可能越低。在厚度、相对湿度一定的情况下，显影时间较短时，岛结构以小直 径为主，随着时间增加，该结构直径分布变得均匀，并且以大直径为主，两者都大致符合高斯分布。 关键词：纳米岛；自组装技术；NEMS；纳米加工技术 中图分类号：TP212文献标识码：A GrowthofCsClnanoislands ·LUO Lian91”，YIFu．tin91，ZHANGJu．fan91 of of (1．InstituteEnergyPhysics，ChineseAcademySciences，Beijing100049，China； High 2．Graduate ofChinese of 100049，China) University AcademySciences，Beijing kindserf—assembled Abstract：TheofCsClnanoisland of technology，USeS technology lithography，鹊a CsCI鹪theserf—assembledmaterialits ina certainrelative withthe by growth humidity hemisphere ofcertain fractionalsurface meandiameterand islands mean diameter(d)andcoverage(F)．The nanoislandscanbe controlledwithdifferentsizeschan- fractionalsurface oftheCsCl partly by coverage the of conditions．MeandiameterandFale dominatedCsClfilm sing paremetersprocessing mainly by most