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* * * * * * * * * 系统在某一过程中，温度升高（或降低）1℃所吸收（或放出）的热量叫做这个系统在该过程中的“热容量 * 测量厚度最简单的方法。 * 如果一束单色光照在样品上，一些光会被直接反射。如果膜层是透明的，那么有一些光会从膜下表面反射。在一定的波长范围内，两束光会同相位，因而相叠加；而另外一些波长，光会相消。结果就是反射光的强度随波长有最大值和最小值。 * 椭偏是一个更好的方法。在概念上，椭偏和光干涉法相同。在椭偏中，用偏振光，当光从衬底反射回来时，测量其偏振程度的改变。通常来说，偏振程度和薄膜及衬底都有关系。一般情况下，当衬底的光学性质已经了解，薄膜在所用的波长下是透明的，反射光的偏振程度的改变和薄膜厚度及反射指数有关。 * * * * * Wet Oxidation System －Bubbler System 快速热处理器（RTP: Rapid Thermal Processing） 　　　快速热处理器是一种小型的快速加热系统，带辐射热和冷却源；　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　 具有非常快的、局域化的加热时间，只对硅片进行加热，典型的RTP设备可达到每秒几十度的升降温速率； 　　 主要应用在阻挡层的形成和氧化物回流等领域中。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 * * * 快速热处理器 vs. 高溫炉 传统的高温加热炉是一种批量工具，一次能够处理数百片晶圆。由于热容量大，因此制程炉管或制程反应室的温度只能慢慢地升高和慢慢地降低。 * 溫度 时间 高溫炉 RTP 室溫 特点：RTP是一种单晶圆制程，它能够以每秒钟75度到200度的速率快速升温。 * RTP Process Diagram * Rapid Thermal Oxidation Rapid Thermal Anneal (斜坡) * 快速热处理技术(RTP)优点 优点: 1.杂质浓度不变，并100%激活. 2.残留晶格缺陷少，均匀性和重复性好. 3.加工效率高，可达200~300片/h。 4.设备简单，成本低。 5.温度较高(1200℃)，升温速度较快(75~200 ℃/sec) 6.掺杂物的扩散最小化。 * * 离子注入后的退火，目的是消除由于注入带来的晶格损伤和缺陷。 RTP应用 * 生长高品质的超薄氧化层。由于器件尺寸越来越小的趋势使得加在晶园上的每层的厚度越来越薄，厚度减少最显著的是栅极氧化层，先进的器件要求栅极厚度小于0.01微米。目前的栅氧化层厚度大概在3nm左右，如此薄的氧化层对于普通的反应炉来说，是难以实现的，而RTP系统快速升温降温可以提供所需的控制能力。 由于RTP系统能精确地控制整片晶圆的温度均匀性，因此RTP系统能够生长薄且均匀的氧化层。 * 退火后掺杂物扩散 高溫炉退火 快速加热退火 栅极 * * * RTP系统结构图 * RTP反应室 照片提供：Applied Materials, Inc * * 由示意图可看出，加热源（十字钨灯）在晶园的上面，这样晶园就可被快速加热。热辐射偶合进入晶园表面并以75℃～125℃的速度到达工艺温度，由于加热时间很短，晶园体内温度并未升温，这在传统的反应炉内是不可能实现的。 * * 氧化膜的质量检验 氧化膜的缺陷检查 氧化膜的厚度测量 氧化膜的电学测量 Oxide Measurement Thickness (Gate oxide) Uniformity Break down voltage C-V characteristics * * * 氧化膜的缺陷检查 氧化膜针孔的检测 EPW（邻苯二酚－乙二胺－水腐蚀法）、阳极氧化法 、氯气腐蚀法 、MOS 二极管法 氧化导致的层错的检测 (OISF：Oxidation induced stacking faults) 氧化后，用HF去除SiO2, 用Sirtl溶液腐蚀； Sirtl溶液：100ml H2O + 50 g Cr2O3 +75 ml HF 氧化膜中钠离子含量测定 （在后面电学测量中讲到） * 氧化时产生大量的间隙原子。这些点缺陷聚集为大的2D缺陷——层错。层错位于界面，成为重金属的吸杂中心，导致器件漏电。高压氧化（低温）和掺氯氧化，均有利于抑制OISF。 OISF – Oxidation Induced Stacking Fault * 机械法 比色法 椭偏法(Ellipsometry) 光干涉法C-V测量 厚度测量 Stylus 1、机械法 (唱针、尖笔) * 比色法 (C