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平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制 张万昌何高魁黄小健乌如恭桑孙亮 (中国原子能科学研究院，北京102413) 摘要 本文叙述了用平面工艺技术制备Si—PIN低能X射线探测器的工艺方法。为了减小探测 mm2、 器的漏电流，采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500um，灵敏面积分别为5 lOmm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5帆2的探测器在室温及温差电致冷条件下 对船Fe5．9KeVX射线的能谱响应测量结果。 关键词：平面工艺技术，Si-PIN探测器，能量分辨率 一、前言 平面工艺技术目前正广泛地应用于半导体器件和集成电路的制备。平面工艺技术用于 射线探测器研究始于20世纪80年代初期…。表面钝化和离子注入技术的使用，极大地降低 了Si探测器的漏电流，比Si面垒探测器小约3个数量级，从而大大减小了探测器的噪声， 提高了探测器的能量分辨率。平面工艺技术制备的Si漂移室探测器(SDD)在室温下的能量 分辨绿可以好于200eV(55Fe5．9KeVX)髓3，同时具有高的计数率。平面工艺技术制备的Si—PIN 探测器由于电容较大，因而室温时的能量分辨率要比Si漂移室探测器差得多，但在温差电 致冷条件下(约-40℃)对弱Fe5．9KeVX射线的能量分辨率(Fwml)可以好于200eV啼1。由 于Si-PIN探测器的制备工艺过程远比Si漂移室探测器简单得多，所以成品率要比Si漂移 室探测器高得多，成本低，。使用方便，所以，平面工艺技术制备的Si叩INX射线探测器在 低能．X射线荧光分析技术、X射线衍射技术方面得到了广泛应用。 实验中我们用平面工艺技术制备了厚度500“m，灵敏面积5mm2、lOmm2的Si—PIN探测器。 采用了表面钝化和保护环技术，大大降低了探测器漏电流。为了提高探测器对低能X射线的 探测效率，采用了浅结工艺技术。 对5mm2、10mill2探测器漏电流进行了测量，并且测量了5m2的探测器在室温及温差电致 冷条件下对拍Fe5．9KeYX射线的能谱响应。5mm2、10彻2探测器室温下漏电流小于0。5nA， 5mm2的探测器在温差电致冷条件下对5Fe5．9KeVX射线的能量分辨率(FIyIBD达到了198．5eV。 二、制备工艺 ’ iii。 探测器在结构上采用了保护环技术。探测器的制备采用了平面工艺技术，制备了 5000--6000A的Si02表面钝化层，同时还采用了浅结工艺技术，研制成了灵敏面积5田m2、 i0衄2 Si-PIN探测器及4列。制成的探测器样品如图i所示。 inln2 图I、灵敏面积5咖2及4x5 Si-PIN探测器 332 三、测量结果 1、探测器漏电流测量： 漏电流测量系统框图如图2所示。 图2、探测器漏电流测量系统示意图 室温20℃时对厚度为500“m、灵敏面积分别为5nlln2、10咖2探测器的漏电流进行了测 量，全耗尽电压约i60V。测量结果，探测器室温下漏电流在全耗尽电压时小于0．5hA，I-V 测量曲线如图3所示。 I-vCurvesatRoom Temperature RT=20．RH=19％ —■一5-2 ··^-·，-2 --0-，-2—·+一lO_l 图3、5mf