SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善-发光学报.PDF

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SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善-发光学报

第30卷 第6期 发 光 学 报 Vol30 No6 2009年12月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Dec.,2009 文章编号:10007032(2009)06080705 SiC缓冲层对 Si表面生长的 ZnO薄膜结构和光电性能的改善 1 1 2 3 1 1 2 康朝阳 ,赵朝阳 ,刘峥嵘 ,孙 柏 ,唐 军 ,徐彭寿 ,谢家纯 (1.中国科学技术大学 国家同步辐射实验室,安徽 合肥 230029; (2.中国科学技术大学 物理系,安徽 合肥 230026; 3.中国科学院合肥智能机械研究所,安徽 合肥 230031) 摘要:用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍 射(XRD),光致发光(PL)谱,IV曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究。实验结果表明: SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si之间 大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态。 关 键 词:ZnO薄膜;Si(111)衬底;SiC缓冲层;光电性能 中图分类号:O472;O482.31   PACS:78.55.Et;78.66.Hf   PACC:7855;7865K   文献标识码:A 术制备ZnO薄膜的报道并不多见。 1 引  言 鉴于SiC作为一种宽禁带半导体材料,具有 ZnO是  族直接带隙宽禁带化合物半导 高热导率、高击穿场强,对紫外辐射敏感等优点, ⅡⅥ 体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV,激子结合 如果用SiC作为缓冲层,一方面可以缓解ZnO与 能高达60meV,具有优异的光学和电学特性,并 Si衬底之间由于晶格失配和热膨胀系数失配所 且原料易得,价廉,无污染,极有可能实现紫外探 产生的应力,另一方面它本身也具有紫外响应特 测器,蓝紫光发光二极管(LED)和激光二极管 性,从而能够提高器件的效率。本文尝试利用 (LD)等光电子器件[1~6]。 PLD方法生长ZnO薄膜时,首先在Si衬底上生长 要得到高质量的ZnO薄膜,衬底的选择非常 一层非晶SiC缓冲层作为柔性衬底,利用XRD和 重要。考虑到目前主要的光电集成器件都是在Si PL谱研究了它对ZnO薄膜结构和发光性能的影 衬底上实现的,兼之Si衬底工艺成熟、价格低廉, 响,并结合微电子工艺制成了紫外探测器,分析了 所以,在Si衬底上采用与现有大规模集成电路工 SiC缓冲层对器件光电性能的影响。 艺相兼容的方式制作出光电器件,具有重要意 [7~10] 2 实  验 义 。然而,由于ZnO外延膜和 Si衬底之间 大的晶格失配(40.1%之多)必然带来界面晶格 样品是利用本实验室的PLD设备制作的。 缺陷并形成较多的界面态,从而极大地影响了Si 采用波长为248nm的KrF激光,以45°角入射到 基ZnO薄膜材料和器件的质量。 靶上,靶和衬底的距离约为5cm。所用的ZnO靶 为了在Si衬底上获得高质量的ZnO薄膜,人 的直径为1英寸(2.54cm),该靶由纯度为99.99% 们探索了多种外延生长技术,如横向外延技术、缓 的ZnO粉末压制烧结而成;生长SiC所用靶材为 冲层技术和柔性衬底技术等。已报道利用多孔

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