氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜的制备及其光学性能-强激光与粒子束.PDF

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２１ ５ Ｖｏｌ．２１ Ｎｏ．５ 　 　 年 月 ， ２００９ ５ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ｍａ ２００９ 　 　 ｙ 文章编号： （ ） １００１４３２２２００９０５０７７００５ 　 氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜的制备及其光学性能 彭强祥， 李志杰， 祖小涛 　 　 （电子科技大学 物理电子学院，成都 ６１００５４） 摘 要： 采用溶胶 凝胶 水热过程制备了氧化硅稳定的氧化锡量子点，然后将其分散到氧化硅溶液中，   　　 　 　 用旋转涂膜的方法制备光学性能良好的氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜。 射线衍射和高分辨透射电镜表征 Ｘ 显示氧化锡量子点具有良好的四方金红石晶型，平均粒径约 ４．０ｎｍ。室温光致发光显示这种氧化硅稳定的氧 化锡量子点薄膜在 和 处分别有很强的激子发光和缺陷态发光。根据透射谱拟合得到了氧化锡 ３５６ｎｍ ３８８ｎｍ 量子点薄膜的光学禁带宽度，其值约为 ３．９６ｅＶ。 关键词： 溶胶 凝胶； 薄膜； 氧化锡； 氧化硅； 量子点  　　 　 　 　 　 　 中图分类号： ＴＧ１４６．１３ 文献标志码： Ａ 　　 　 　　　　 　 　　由于量子尺寸效应、表面效应等各种物理机制，半导体量子点材料在电、光、磁等各个领域表现出许多新颖 的特性，受到了广大科研工作者的重视。氧化锡（ ）是一种典型的直接带隙宽的半导体材料，其体带隙约 ＳｎＯ２ 为３．６ｅＶ，激子束缚能１３０ｍｅＶ，激子玻尔半径约为２７ｎｍ，有望成为短波长发光器件、激光器、固态平面显示、 ［ ］ ［］ １２ ３ 光存储、气敏等方面的重要应用材料 。目前，制备量子点薄膜的方法有很多种，如离子注入法 ，射频磁控 ［］ ４ 溅射 等。溶胶 凝胶法具有成膜均匀性好、与衬底附着力强、易于原子级掺杂、可精确控制掺杂水平且不需要  大型设备等优点，成为广大薄膜科研工作者的重要制膜方法。但是这种方法制备的量子点薄膜一般是无定型 的，需要进行后期高温热处理进行晶化，而高温过程往往伴随着量子点团聚长大的问题。本实验首先采用溶 胶 凝胶 水热法制备了氧化硅稳定的、具有良好晶型的氧化锡量子点，因为氧化锡被氧化硅稳定，所以可以实   现很好的分散，将氧化锡量子点重新分散于氧化硅溶胶中，再通过旋转涂膜的方法，制备性能良好的氧化