劳动第三版电子电路基础---第一章 常用半导体器件1.3.ppt

§1-3 场效应管 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 在晶体三极管中，基极输入电流的大小直接影响输出电流的大小，这是一种电流控制型器件。场效应管则是一种电压控制型器件，它是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的。 输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻. 定义为输入电压有效值Ui和输入电流有效值Ii之比，即Ri， Ri越大，表明放大电路从信号源索取的电流越小，放大电路所得到的输入电压Ui越接近信号源电压Us。 然而，若信号源内阻Rs是常量，为使输入电流大一些，则应使Ri小一些。 因此，放大电路输入电阻的大小要视需要而设计。 当UGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。 P沟道增强型MOS管 如果在制作MOS管时采用N型硅作衬底，漏源极为P型，则导电沟道为P型。正常工作时，uDS 和 uGS 都必须为负值。 场效应管的命名法 　　国产场效应管的型号命名方法有两种：第一种命名方法与普通三极管相同，第一部分用数字3表示主称；第二部分用字母表示材料，D表示P型硅N沟道，C表示N型硅P沟道；第三部分用字母表示管子种类，字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅型场效应管；第四部分用数字表示序号。 　　例如，3DJ6D表示结型N沟道场效应三极管，3D06C表示绝缘栅型N沟道场效应三极管。 　　第二种命名方法采用字母“CS”＋“××＃”的形式，其中“CS”代表场效应管，“××”以数字代表型号的序号，“＃”用字母代表同一型号中的不同规格，如CS16A、CS55G等 结型场效应管的检测 1、结型场效应管的管脚识别：　　场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极　　用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。　　制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。　　注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 四、特殊MOS管 1.CMOS管 2.VMOS管和UMOS管 3.P-MOS管 五、场效应管的使用注意事项 * * 场效应管与晶体管的区别 1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 2. 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单极型器件。 3. 晶体管的输入电阻较低，一般102~104?； 场效应管的输入电阻高，可达109~1014? 场效应管的分类 结型场效应管JFET 绝缘柵型场效应管MOSFET 场效应管与晶体管的相同点：都可以放大信号 N沟道 P沟道 增强型（EMOS) 耗尽型 (DMOS) N沟道(NMOS) P沟道(PMOS) N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) MOS场效应管 N沟道增强型的MOS管 P沟道增强型的MOS管 N沟道耗尽型的MOS管 P沟道耗尽型的MOS管 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 增强型MOS场效应管 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 绝缘栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 当UGS较小时， iD≈0。 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在VDS的作用下形成iD。 二、N沟道增强型MOS场效应管工作原理 增强型MOS管 VDS iD + + - - + + - - + + + + - - - - VGS 反型层 在漏源间加正向电压uDS，当UGS=