二氧化钒薄膜在一半导体相变特性研究-无机材料学报.pdfVIP

第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 , 年 月 , 二氧化钒薄膜在 一 衬底上 的外延生长 ’ 一 及其金属 半导体相变特性研 究 吴召 平 方平 安 中 国科 学院上 海 硅 酸 盐研 究所 土 海 摘 要 利用 及 极 图技术表征 了用激光剥离技术生长 的 薄膜 结果表 明 在衬底 一 温度为 , 氧气偏压 的条件下, 在 乏 衬底上 能实现 的二 维外延 一 , 生长 薄膜 的结构 除了与沉积工艺有关外 还和衬底 的取 向密切相关 在 。 乏 衬底 上 , 定 向生长 的 在 指数 时, 除了 以外, 不存在其他 晶格矢量与衬底 匹配 , 而不 能实现三 晶 的外延生长 学 性 的测试 果显示 , 在温 为 相 从 可 维单 薄膜 电 特 结 度 右 , 出现 , 的 阻 化达 个 量 左 薄膜 相变 薄膜 电 率变 数 级 , , , 延 关 键 词 二氧化饥 相变 极 图 外 分 类 号 引言 过 渡 金属 离子 的多价特性 , 使得 其氧化物 的种类 多种 多样 , 也使得 其研 究变得 极其复 杂 , 其 中尤 以氧化钒 为甚 , 因为其氧化物可 以在 和