ODF工艺中边框胶穿刺影响因素探究.doc

ODF工艺中边框胶穿刺影响因素探究摘 要：根据ODF（One Drop Filling）工艺的实际生产情况，探讨了液晶量、边框胶涂布效果、关键工艺生产节拍（Tact Time）和外围边框胶（Dummy Seal）设计方式对边框胶穿刺情况的影响，发现ODF工艺中液晶与未固化的边框胶接触是发生边框胶穿刺的根本原因。液晶量越大边框胶穿刺情况越严重；边框胶涂布效果的直线性越好，其穿刺情况越轻微；液晶与未固化边框胶的接触时间越长，其穿刺情况越严重，甚至出现大量漏液晶；外围边框胶开口式设计有利于改善边框胶穿刺情况。 关键词： ODF；液晶量；边框胶穿刺；生产节拍 中图分类号：TN873.93 　 文献标识码：A Study on the Influence Factors of Sealant Collapse in ODF Process ZHAO De-you, LIU Liang, YU Xiang, GONG Juan, YANG Guo-bo (CELL Department of Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Chengdu Sichuan 611731, China) Abstract: According to the actual production of One Drop Filling Process, liquid crystal amount, the coating effect of sealant, Tact Time of key process and the design mode of Dummy Seal have been discussed, which have influence on sealant collapse. The results show in ODF process the basic reason of sealant collapse is that LC contacts with uncured sealant. The larger liquid crystal amount, sealant collapse is more serious. The better linearity of the coating effect of sealant, sealant collapse is slighter, and the longer time LC contacting with uncured sealant, the more serious sealant collapse, even leading to a large number of LC leak. The open mode of Dummy Seal is beneficial to improve sealant collapse. Keywords: ODF; liquid crystal amount; sealant collapse; tact time 引　言 近年来，TFT-LCD产品由中尺寸向大小尺寸两个极端快速发展，并且TFT-LCD生产制造技术发展得也越来越成熟[1]。目前，ODF工艺已逐渐取代传统真空灌注工艺，被大规模应用到TFT-LCD面板生产制造中。ODF工艺与传统真空灌注工艺相比，具有工艺时间短、液晶利用率高和自动化程度高等优势[2, 3]，但ODF工艺的一个关键点是液晶扩散时，边框胶处于非固化状态，它与液晶材料直接接触时，容易造成液晶材料的污染，同时也容易导致液晶穿透边框胶，即边框胶穿刺现象[1-4]。 边框胶穿刺严重时会导致液晶盒（Cell）出现不良，主要不良有漏液晶（LC Leak）、周边Gap Mura以及粘结力下降等。就目前ODF工艺过程而言，TFT玻璃基板与CF玻璃基板在真空贴合完成后，都需要经过一段时间的搬运才能进行边框胶固化，因此极易出现边框胶穿刺现象。本文主要探讨液晶量、边框胶涂布效果、关键工艺生产节拍以及外围边框胶开闭口方式对边框胶穿刺现象的影响。 1　实　验 1.1　液晶量实验 液晶盒的理论液晶量主要由盒厚（Cell Gap）、液晶盒尺寸大小、柱状隔垫物（PS）高度或球形隔垫物（BS）密度等影响液晶可填充体积的参数决定，但理论计算量往往只能做参考。对于新产品的液晶量，必须在参考理论计算量的基础上，通过实验来确定。边框胶穿刺情况是确定产品液晶量的重要考察对象之一。 以某种小尺寸产品为例，该产品单个Cell的理论液晶量为15.540mg，在ODF工艺中进行实验时，液晶滴下量分别以理论值的99%、100%和101%