单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究_赵其琛.pdfVIP

网络出版时间：2017-09-12 13:27:17 网络出版地址：/kcms/detail/11.1958.O41327.032.html 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 19 (2017) 196802 单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究 赵其琛 郝瑞亭 刘思佳 刘欣星 常发冉 杨敏 陆熠磊 王书荣 (云南师范大学太阳能研究所, 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室, 云南省农村能源工程重点实验室, 昆明 650500) ( 2017 年5 月25 日收到; 2017 年7 月4 日收到修改稿) 采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS) 四元化合物单靶制备CZTS 薄膜, 并研究原位退火对制备薄膜的影 响. 结果表明: 在溅射结束后快速升温并保持一段时间, 所得到的样品相比于未原位退火的CZTS 薄膜结晶 质量更好, 且表面更平整致密; 原位退火后的CZTS 薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升, 其开路电压 (oc 为575 mV, 短路电流密度(sc 为8.32 mA/cm , 光电转换效率达到1.82%. 关键词 铜锌锡硫 磁控溅射 原位退火 太阳电池 : , , , PACS: 68.35.bg, 68.55.–a, 88.40.hj DOI: 10.7498/aps.66.196802 因制备过程简单和沉积的薄膜具有稳定的化学比 1 引 言 例、平整的表面而备受关注11 . 华东师范大学使 用单靶溅射制备出效率为2.85% 的CZTS 薄膜太阳 铜锌锡硫(Cu ZnSnS , CZTS) 作为P 型导电 12 13 电池 . Mohanty等 通过溅射单个四元化合物 的四元化合物半导体, 具有锌黄锡矿结构, 与铜 靶Cu Zn SnSe , 制备出效率为4.16 % 的薄膜 铟镓硒(CIGS) 的黄铜矿结构相似1 , 其组成元素 太阳电池. 日本长冈大学的Nakamura 等14 使用 无毒, 且在地壳中含量丰富, 禁带宽度为1.5 eV, 单靶溅射制备了效率为4.4% 的薄膜太阳电池. 磁 具有较大的光吸收系数(大于10 cm) 2 , 理论 控溅射四元化合物单靶制备CZTS 薄膜太阳电池 转换效率可达32.2%, 被认为是薄膜太阳电池材 3 的效率由中国台湾的国立台湾交通大学保持, 效率 料的最佳选择之一 . 从Ito 和Nakazaw 报道四元 达到5.2