ICBT的驱动与保护技术驱动电路.PPTVIP

绝缘栅双极性晶体管的特点及应用 电力电子中的新型器件简介 2．5 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 随着电力电子学的发展，比GTR更新的电力开关器件绝缘栅双极型晶体管IGBT已经在广泛使用。IGBT综合了MOS场效应晶体管和双极晶体管(GTR)的特点。 IGBT栅极输入高阻抗，是场控器件，这一点是MOSFET的特性；IGBT的输出特性饱和压降低，这一点是GTR的特性。目前，IGBT的容量已经达到GTR的水平，而且它的驱动简单、保护容易、不用缓冲电路、开关频率高，这些都使IGBT比GTR有更大的吸引力。事实上，在电动机驱动、中频和开关电源以及要求快速、低损耗的领域已处于主导地位。在通用变频器中，IGBT正在取代GTR。 2．5 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 2 ． 5．1 IGBT的结构特点 它是以GTR为主导器件，MOSFEET为驱动器件的复合管。图2—101c为IGBT的电路符号。IGBT的开通和关断由栅极控制，最低栅极阈值电压UEG（th），一般为3~6V。当栅极的上电压为零或施以负压时IGBT即关断。 IGBT内由于存在空穴的存储效应，使其关断存在电流拖尾现象，关断损耗比MOSFET大，这限制了其开关频率的提高。 2．5 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 2 ． 5．2 IGBT的主要参数与基本特性 1、主要参数 通常IGBT的使用手册会给出以下一些主要参数： 1)集电极—发射极额定电压UCES：这个电压值是厂家根据器件的雪崩击穿电压而规定的，是栅极—发射极短路时IGBT能承受的耐压值，即UCES值小于等于雪崩击穿电压。 2)栅极—发射极额定电压UGES：IGBT是电压控制器件，靠加到栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断，而UGES就是栅极控制信号的电压额定值。目前，IGBT的UGES值大部分为+20V，使用中不能超过该值。 3)额定集电极电流Ic：该参数给出了IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。如富士公司提供给市场的IGBT模块的电流范围是8~400A。 4)集电极—发射极饱和电压UEC(sat):此参数给出IGBT在正常饱和导通时集电极一发射极之间的电压降。该值越小，管子的功率损耗越小。富士公司IGBT模块的UEC(sat)值约为2.5—3.5V。 5)开关频率：在IGBT的使用手册中，开关频率是以导通时间ton、下降时间tf和关断时间toff给出的，据此可估计出IGBT的开关频率。一般，IGBT的实际工作频率都在100kHz以下，即使这样，它的开关频率、动作速度也比GTR快得多，可达30一40kHz。开关频率高是IGBT的一个重要优点。 2．5 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 2 ． 5．2 IGBT的主要参数与基本特性 2．基本特性 IGBT有与GTR相近的输出特性，也有截止区、饱和区、放大区和击穿区 在导通后的大部分漏极电流范围内，IC与UGE成线性关系。 IGBT的优点之一是没有二次击穿。最大漏极电流IDM(即IC)根据避免动态掣住电流确定，最大漏源电压UDSM(即UCES)由IGBT中PNP晶体管的击穿电压决定，最大功耗则受限于最高结温；IGBT能承受过电流的时间通常仅为几微秒，这与SCR、GTR(几十微秒)相比也小得多，因此对过电流保护要求很高。 新一代的IGBT已能做到不必使用RCD缓冲电路，具有矩形反向SOA，不必负压关断，并联时能自动均流，短路电流可自动抑制，并且损耗不随温度正比增加。 2．5 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 2．5．3 ICBT的驱动与保护技术 1、驱动电路 由于IGBT以MOSFET为输入级，所以MOSFET的驱动电路同样适用于IGBT。 (1)对驱动电路的要求 1)IGBT与MOSFET都是电压驱动，都具有一个2.5—5V的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可靠，要保证有一个低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。 2)用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。IGBT开通后，栅极驱动源能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏。 3)驱动电路要能传递几十kHz的脉冲信号(即工作频率要高）。 4)驱动电平+UGE的选择必须综合考虑。在有短路过程的设备中，由于负载短路时的IC增大，IGBT能承受短路电流的时间减少，对其安全不利，因此UGE应取得小一些，一般为12~15V。 5)在关断过程中，为尽快抽取PNP管的存储电荷，应施加一负偏压 UGE ．但其受IGBT的G、E间的最大反向耐压限制，一般取－10~－1V。 2．5 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 2．5．3 ICBT的驱动与保护技术 1、驱动电路 (1)对驱动电路的要求 6)在