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溶胶-凝胶-蒸镀法制备高性能FTO薄膜 史晓慧 许珂敬 Thepreparationofhigh-performanceFTOthinfilmbysol-gel-evaporation method ShiXiao-Hui XuKe-Jing 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,138101(2016) DOI: 10.7498/aps.65.138101 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.138101 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I13 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin VO 薄膜表面氧缺陷的修复:F TCNQ分子吸附反应 HealingofoxygendefectsonVO surface: F TCNQadsorption 物理学报.2016,65(8): 088101 /10.7498/aps.65.088101 GaN基发光二极管衬底材料的研究进展 ResearchprogressofsubstratematerialsusedforGaN-Based light emitting diodes 物理学报.2014,63(6): 068103 /10.7498/aps.63.068103 C掺杂TiO薄膜的制备及其第一性原理研究 Depositionandfirst-principlescaculationofcarbon-dopedtitanium monoxide films 物理学报.2013,62(19): 198103 /10.7498/aps.62.198103 醇热反应低温合成锰钴镍热敏薄膜 Lowtemperaturesynthesisofmanganesecobaltnickel oxide thin film by alcohol-thermalreaction 物理学报.2013,62(19): 198104 /10.7498/aps.62.198104 Ti/Ti-类金刚石多层膜的制备与表征 Preparationandcharacterizationofmultilayeredtitanium/titanium-diamond-likecarbon films 物理学报.2012,61(8): 088102 /10.7498/aps.61.088102 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 13 (2016) 138101 溶胶-凝胶-蒸镀法制备高性能FTO薄膜 史晓慧 许珂敬 (山东理工大学材料科学与工程学院, 淄博 255091) ( 2016 年1 月7 日收到; 2016 年3 月8 日收到修改稿) 以SnCl 5H O 为锡源, SnF 为氟源, 采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备F 掺杂的SnO 透明导电氧化物薄膜 (FTO 薄膜). 通过正交实验研究确定最佳反应温度、反应时间和蒸镀温度等制备条件. 主要研究元素F 的掺 杂和膜的结构对FTO 薄膜性能的影响, 并采用傅里叶变换红外光谱仪、热重-差热分析、X 射线衍射、高分辨 透射电子显微镜和扫描电子显微镜等进行样品的性能表征. 研究结果表明, 当反应温度50 ◦C、反应时间5 h、 烧结(蒸镀) 温度600 ◦C、镀膜次数1 次、而FSn 14 mol% 时, FTO 薄膜性能指数TC 最大, 综合光电性能 最优, 表面电阻为14.7 Ωcm, 平均透光率为74.4%. FTO 薄膜内颗粒的平均粒径为20 nm, 呈四方金红石 型结构, F 的掺入替代了部分的O, 形成了SnOF 晶体结构. F 的掺杂量是影响FTO 薄膜的主要因素, F 过多或过少均不利于SnOF 晶体的生长; FTO 薄膜的结构、颗粒形状、大小等三维信息也是影响薄膜性 能的因素, 主要表现为分形维数越小, 薄膜表面