光电子材料概论.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 2. 三元固熔体（合金） 例一：GaxIn1-xSb的Eg随x的变化： GaxIn1-xSb 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 2. 三元固熔体（合金） 例二：GaPxAs1-x的Eg随x的变化： GaAs：直接带隙，GaP：间接带隙 GaPxAs1-x在x=0.45处有带隙结构的转变。 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 2. 三元固熔体（合金） 0.85 ?m： GaPxAs1-x/GaAs GaAlxAs1-x/GaAs In1-xGaxP Al1-xGaxSb 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 2. 三元固熔体（合金） 作为发光层的衬底的III-V族二元化合物： GaAs、InP、InAs、GaSb 含Al的二元化合物容易潮解，不稳定。不宜作为衬底材料。如AlAs、AlSb。 InSb：晶格常数太大，不可能与其它化合物、合金匹配。 GaP：晶格常数太小，不可能与其它化合物、合金匹配。 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 2. 三元固熔体（合金） GaPxAs1-x：GaAs和GaP的晶格常数偏离较大，不易控制匹配，x稍有偏移，不匹配程度增大。 GaAlxAs1-x：GaAs和AlAs的晶格常数很接近。在任何组分x值上GaAlAs与GaAs衬底很好地匹配。因此GaAlAs/GaAs广泛用于制备LED和LD。 0.85 ?m： 符合条件的固熔体： Ga1-xInxAs GaSbxAs1-x InAsxP1-x GaAlxSb1-x 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 2. 三元固熔体（合金）—1.3 ?m 无衬底匹配 无衬底匹配 无衬底匹配 间接带隙 符合条件的固熔体： Ga1-xInxAs GaSbxAs1-x InAsxP1-x GaAlxSb1-x 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 2. 三元固熔体（合金）—1.55 ?m 无衬底匹配 无衬底匹配 无衬底匹配 衬底匹配不是最好 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 3. 四元固熔体（合金） In1-xGaxAsyP1-y体系 Ga1-xAlxAsySb1-y体系 四元固熔体（合金）的特点：禁带宽度（Eg）和晶格常数可独立变化。 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 3. 四元固熔体（合金）—InGaAsP体系 InGaAsP/InP：0.9~1.7 ?m （1.31 ?m、1.55 ?m） InGaAsP/GaAs：0.7~0.9 ?m （0.85 ?m） 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 3. 四元固熔体（合金）—GaAlAsSb体系 GaAlAsSb/GaAs（微量Sb）：0.85 ?m GaAlAsSb/InP： 1.3 ?m GaAlAsSb/GaSb（富Sb）：1.55 ?m 一、发射0.85、1.3、1.55 ?m的材料（0.8~1.5eV） 半导体LD用材料 小结： （1）0.85 ?m： GaAlAs/GaAs （2）1.3、1.55 ?m InGaAsP/InP 思考题7 1、根据上图分析GaPxAs1-x、GaxAl1-xAs和GaxAl1-xSb是否适合作为发射0.85μm波长LD的有源区材料，InAsxP1-x和GaxAl1-xSb是否适合作为发射1.3 μm和1.55 μm波长LD的有源区材料，并说明原因。2、高效率的发光材料应该具有哪些特征？制备发光材料时是不是掺杂浓度越大越好，为什么？ 二、发射可见光（0.4~0.75?m）的材料（1.65~3.1eV） 半导体LD用材料 1. III-V族材料 二元化合物： GaP（等电子掺杂）、InN AlN 6.2 AlP AlAs 2.32 AlSb 1.6 GaN 3.8 GaP 2.26 GaAs 1.42