VHDL第3章CPLD.ppt

EDA 原理与应用;;PLD器件的基本结构;可编程逻辑器件的发展历程;可编程逻辑器件的分类; 2、查找表结构器件， FPGA(Field Programmable Gates Array) 内部互连结构由多种长度不同的连线资源组成, 每次布线的延迟不同,属于统计型结构,逻辑单元主 体为由静态存储器(SRAM)构成的函数发生器,即查 找表。通过查找表实现函数功能。 ; 可编程逻辑器件的编程方式分为两类：一次性编程OTP （One Time Programmable）器件和可多次编程MTP （Many Time Programmable）器件。 OTP器件是属于一次性使用的器件，只允许用户对器件编程一次，编程后不能修改，其优点是可靠性与集成度高，抗干扰性强。 MTP器件是属于可多次重复使用的器件，允许用户对其进行多次编程、修改或设计，特别适合于系统样机的研制和初级设计者的使用。 ; 根据各种编程工艺上分，可编程逻辑器件通常又可以分为几类： ① 采用一次性编程的熔丝（Fuse）或反熔丝（Antifuse）元件的可编程器件，如PROM、PAL和EPLD等。 ; 熔丝编程技术是用熔丝作为开关元件，这些开关元件平时（在未编程时）处于连通状态，加电编程时，在不需要连接处将熔丝熔断，保留在器件内的熔丝模式决定相应器件的逻辑功能。 反熔丝编程技术也称熔通编程技术，这类器件是用逆熔丝作为开关元件。这些开关元件在未编程时处于开路状态，编程时，在需要连接处的逆熔丝开关元件两端加上编程电压，逆熔丝将由高阻抗变为低阻抗，实现两点间的连接，编程后器件内的反熔丝模式决定了相应器件的逻辑功能。 ;熔丝结构;反熔丝结构示意; ② 采用紫外线擦除、电可编程元件，即采用EPROM、UVCMOS工艺结构的可多次编程器件。 ③ 采用电擦除、电可编程元件。其中一种是E2PROM，另一种是采用快闪存储器单元（Flash Memory）结构的可多次编程器件。 ④ 基于静态存储器SRAM结构的可多次编程器件。目前多数FPGA是基于SRAM结构的可编程器件。 ⑤ FLASH型,可以实现多次可编程，也可以做到掉电后不需要重新配置。 ; 从电路设计者来说，可将设计好的电路“写入”芯片(PLD母片），使之成为专用集成电路；有些PLD可以多次“编程（逻辑重构）”，这就??别适合新产品试制或小批量生产。;简单PLD原理;电路符号表示;基于存储器的PLD器件原理;PROM的逻辑函数;PROM可编程逻辑阵列;4X2 PROM的逻辑阵列图;用PROM实现半加器;（PROM） PLD的问题？;PLA的结构;PLA与PROM的比较;PLA的问题;PAL的结构;一种PAL16V8的部分结构图;PAL器件的方框图;PAL器件的特点;GAL的原理;一.GAL器件的结构;逻辑宏单元;OLMC结构之1，2（GAL）;OLMC结构之3，4（GAL）;OLMC结构之5，6（GAL）;OLMC结构之7（GAL）;GAL器件的问题？;PLD的结构类型（总结）;复杂可编程逻辑器件（CPLD）的基本原理 ;CPLD的原理;MAX7000系列框图;Global Clock;（三）扩展乘积项 EPM7128S结构中提供的扩展乘积项有两种： 共享扩展乘积项 并联扩展乘积项;没有被使用的逻辑项;(4) 可编程连线阵列(PIA);(5)I/O控制块