单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 16 (2013) 168101 单晶硅片中的位错在快速热处理过程中的滑移* † 徐嶺茂 高超 董鹏 赵建江 马向阳 杨德仁 ( 浙江大学材料科学与工程系, 硅材料国家重点实验室, 杭州 310027 ) ( 2013年1月14 日收到; 2013年4月26 日收到修改稿) 研究了单晶硅片中维氏压痕诱生的位错在不同气氛下高温快速热处理中的滑移行为. 研究表明: 在快速热处理 时, 位错在压痕残余应力的弛豫过程中能发生快速滑移; 当快速热处理温度高于1100 ◦C 时, 在氮气氛下处理的硅片 比在氩气氛下处理的硅片有更小的位错滑移距离. 我们认为这是由于氮气氛下的高温快速热处理在压痕处注入的 氮原子钉扎了位错, 增加了位错的临界滑移应力, 从而在相当程度上抑制了位错的滑移. 可以推断氮气氛下的高温 快速热处理注入的氮原子增强了硅片的机械强度. 关键词: 快速热处理, 位错滑移, 机械性能, 单晶硅 PACS: 81.05.Cy, 81.40.−z, 61.72.Ff DOI: 10.7498/aps.62.168101 本文研究了不同气氛下的高温RTP 对硅片中 1 引言 位错滑移的影响. 研究表明: 压痕诱生的位错能 在RTP 过程中快速滑移; 并且, 当RTP 温度高于 快速热处理(RTP) 是集成电路制造的一步重 1100 ◦C 时, 硅片在氮气氛下处理时位错滑移距离 明显小于在氩气氛中处理时的情形. 我们认为: 氮 要工艺, 被用于掺杂原子的激活以及离子注入和等 离子刻蚀等过程引起的缺陷的消除1−3 . 与传统热 气氛下的高温RTP 在硅片中特别是压痕处注入了 氮原子, 它们钉扎了位错, 增大位错的临界滑移应 处理相比, RTP 的热预算显著降低, 因而能有效抑 力, 从而减少位错的滑移距离. 此外, 本文也再次证 制单晶硅中杂质的扩散, 从而维持器件的结构并消 45 明了氮原子对位错的钉扎能力比氧原子的更强. 除不良的边缘效应 . 作为影响集成电路成品率 的重要因素, 硅片的机械强度一直以来受到广泛的 2 实验 关注. 如何提高硅片的机械强度并揭示其机理得 到了深入的研究6−8 . 随着集成电路用硅片直径的 采用 ⟨100⟩ 和 ⟨111⟩ 晶向, 电阻率为10 Ω·cm, 增大、器件加工精度的提高以及硅基微机电系统 厚度约为675 m, 直径为200 mm 的p 型直拉单晶 (MEMS) 的兴起, 增强硅片的机械强度尤为重要. 通 (CZ) 抛光硅片和⟨111⟩ 晶向, 电阻率为20 Ω·cm, 直 常, 研究者通过对硅片中位错在高温下的滑移距离 径为75 mm, 厚度为380 m 的区熔单晶(FZ) 抛光 的测量来表征硅片的机械强度. 以往的研究主要集 硅片. 傅里叶红外光谱(FTIR) 测试表明CZ 硅片中 910 17 −3 中在普通热处理过程中位错的滑移行为 , 而对 的间隙氧浓度为8 × 10 cm . 在CZ 和F