电沉积超薄膜生长的模拟研究.PDFVIP

文章编号: 1001-5051-( 2002) 01 一 0312-05 电沉积超薄膜生长的模拟研究 吴黎黎 吴锋民 (1.浙江工业大学信息工程学院，浙江杭州 310014 ;2. 浙江师范大学数理与信息科学学院，浙江金 华 321004) 摘 要:利用 Monte Carlo 模拟的方法对电沉积超薄膜的生长过程进行了研究，综合考虑了电解溶液中总粒 子数 n 、粒子相遇时的反应概率 p， 及粒子定向漂移概率 P 等因素，得到了一系列二维薄膜的分形生长图形， rl n 计算了相应的分形维数.结果表明，总粒子数 和反应概率P， 共同决定了沉积薄膜的形貌和相应的分形维数 及聚集的粒子数 N，而走向漂移概率 P 则对薄膜的形态及分形维数影响不大. d 关键词:电沉积;薄膜生长;分数维:定向漂移概率 中图分类号:0242 ;0510 文献标识码:A O 号!言 薄膜的生长过程对峙膜器件的质量有重要的影响，它往往会直接影响到表面及界面的结构和器件 的热学、电学、光学性质，因而对薄膜生长过程及生长机制的研究对于薄膜乃至晶体生长和薄膜器件的 研制都有着重要的理论意义和JJ!L 用价值. 常用的薄膜制备方法有很多，如物理气相沉积(蒸发、溅射、分子束外延等) ，化学气相沉积和电化学 沉积等.→般情况下，薄膜的生长过程是远离平衡条件的，且包含许多随机过程[l-U 如原子沉积到衬 底、从衬底再蒸发、在衬底上扩散、成核和长大等.因此尽管有了经典的成核理论和 STM 方面的研究工 作「卜川但由于单原子过程太快而不能直接追踪原于的运动过程，要想更为详尽地了解薄膜的生长过 程.仍然需要借助于其他手段.计算机模拟就是」个很好的手段，它能使人们更加深入地理解薄膜生长 中的原子过程[7~1()J 本文对电沉积超薄膜的生长过程迸行了模拟研究，通过改变电解溶液中总粒子数n 、粒子相遇时的 反应概率卫及粒子定向漂移概率孔，得到了 A 系列在不同条件F的二维薄膜的分形生长形貌及相应 的分形维数. 1 模型 用来模拟的模型如下: (1)设定一圆形生长器皿(半径口J 根据简要设定) ，中心为阴极，外国为阳极，容器中放置电解溶液 (控制溶液厚度，使薄膜生长近似为二维).预先放置大量金属离子作布朗运动且彼此相遇不发生反应. (2) 在圆心正中处(阴极)置放→个种粒子，称生长中心(阴极). (3) 在以生长中心为圆心， R 为半径的圆弧 t ，一个粒子从圆周上的任意位置开始，除了让其在生 收文日期:2002-()5一州 基金项目:浙江省自然科学基金(19803，1; 101032) 作者简介:关黎黎(]978-). 女，浙江金华人，浙江工业大学信息工程学院研究生.研究方向·分形生长计算模拟. 长器皿内随机扩散外，粒子还以一定的概率向阴极中心做定向飘移.若粒子超出器皿范围时，则取消该 粒子，半径 R 从开始每隔→个生长点大小连续取值. (4) 当扩散粒子与生长中心或已成核的粒子间的距离 d 满足给定的近邻条件时，按一定的反应概 率 P、在此处成核.若成核，则从圆周上另一粒子开始，重复(3) 、 (4) 过程;若不成核，则让其继续运动. 在本文中任一圆周上允许产生 M 个粒子，总粒子数 n 决定了 M 的大小，M 随半径 R 的增大而增加.近 邻条件设定为最近邻，即运动粒子与种粒子或己成核的粒子间的距离 d =1. 2 模拟结果 图 1 是用上述模型模拟得到的在总粒子数较多条件 F 的薄膜生 长形貌图.显然该聚集体具有分形特性，用 Box-countmg 方法不难测 得其分形维数为 0= 1.799 ，比经典 DLA 模型得到的分形维数略大. 改变粒子数(浓度)可以得到其他形状的聚集体，它们同样具有分形结 构. 为了进行比较，先假定到达最近邻的粒子的反应概率丑=1，得 到不同粒子定向漂移概率和不同粒子浓度(总数)的模拟结果.图 2 所 示为成核概率 P，