薄膜硅晶体硅异质结电池中本征硅薄膜钝化层的性质及光发射谱研究.PDFVIP

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薄膜硅晶体硅异质结电池中本征硅薄膜钝化层的性质及光发射谱研究.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 19 (2013) 197301 薄膜硅/ 晶体硅异质结电池中本征硅薄膜钝化层的 性质及光发射谱研究* 1 2 1† 1 1 1 3 3 薛源 郜超军 谷锦华 冯亚阳 杨仕娥 卢景霄 黄强 冯志强 1) ( 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室, 郑州 450052 ) 2) ( 郑州大学物理工程学院, 郑州 450052 ) 3) ( 光伏科学与技术国家重点实验室, 常州天合光能有限公司, 常州 213031 ) ( 2013 年4 月20 日收到; 2013 年7 月4 日收到修改稿) 本文采用甚高频等离子体化学气相沉积技术(VHF-PECVD) 制备薄膜硅/ 晶体硅异质结电池中的本征硅薄膜钝 化层, 光发射谱(OES) 测量技术研究了硅薄膜沉积过程中等离子体发光谱随时间的变化. 结果表明: 在实验优化条 ∗ ∗ 件下等离子体发光谱很快达到稳定(大约25 s), 并且SiH /Hα 的比值随时间变化较小, 避免了生长过程中硅薄膜结 构的不均匀性, 这主要是SiH4 没有完全耗尽避免了SiH4 的反向扩散. 进一步研究了沉积参数对稳态发光谱和硅薄 膜性质的影响, 结果表明: 随着硅烷浓度增加, H∗ 峰强度减小, SiH∗ 峰强度增加, 薄膜从微晶转变成非晶, 非晶硅薄 α 膜钝化效果好; 随着沉积气压增大, H∗ 和SiH∗ 峰强度先增加后减小, 高气压下H∗ 和SiH∗ 峰强度下降主要是反应 α α 前驱物的聚合形成高聚合物, 不利于形成高质量的硅薄膜, 因此钝化效果下降; 随着反应功率密度增加, H∗ 和SiH∗ α 峰强度增大, 当功率密度为150 mW/cm2 趋于饱和, 硅薄膜的致密度和钝化效果也开始下降, 50 mW/cm2 的低功率 密度下硅薄膜钝化效果差可能是由于原子H 浓度低, 不能完全钝化单晶硅表面的悬挂键. 关键词: 薄膜硅, 异质结, 光发射谱, 钝化 PACS: 73.60.Jg, 73.40.Lq, 52.70.−m DOI: 10.7498/aps.62.197301 将影响本征硅薄膜的性质和对晶体硅表面的轰 1 引言 击, 因此, 通过OES 在线监测等离子体状态对控 制等离子体状态和降低硅片表面的轰击, 提高非 HIT(hetero-junction with intrinsic thin layer) 太 晶硅/ 晶体硅异质结界面特性是很有必要的. 南 阳电池兼有薄膜电池低成本和晶体硅高效率的 开大学研究了 VHF-PECVD 制备微晶硅薄膜的 优点, 近年来受到国内外的广泛关注. 如何获得 23 结构和等离子

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