第二章 材料的电性能.ppt

2.4 半导体 2.4.1 半导体中载流子数量的计算 导带的电子与价带的空穴均是载流子，在本征半导体中导带电子与价带空穴是一一对应的。 根据本征载流子占据能级的概率和对其能带的能态密度进行积分运算等，可得到本征载流子的浓度表达式： ,T为绝对温度，k为玻尔兹曼常数。 载流子浓度与温度 T 和禁带宽度 Eg 有关。T增加，N显著增加（与温度成指数规律增加）；在同样的温度下，Eg小，则N大， 在T=300K时， Si的 Eg=1.1eV, N=1.5×1010 cm-3 Ge的 Eg=0.72eV, N=2.4×1013 cm-3 2.4.2 半导体的电导率（电阻率） 讨论已有的温度的影响。 1）qe与T无关 2）电子与空穴的迁移率随温度升高而直线降低 3）载流子数量随温度升高而呈指数规律增加（占主导） 在有限的温度范围内，温度对迁移率的影响很小。 2.4 半导体 例：1 一种半导体，温度从25度升到53度，电导率提高了2倍，计算该半导体的能带间隙 ln? 1/T -Eg/2k 2.4 半导体 2.4.3 杂质半导体： 1）Si或Ge纯的半导体中加入杂质，导电性质有较大的改变。 事实上，杂质原子的电子，可以处于某个能级上，该能级是不允许宿主原子的电子占据。Si中加入P， P中5个价电子，四个与其它Si原子形成共价键，第五个电子仅与P原子形成微弱的结合键，较低的热激活能可以把它激发到导带上去。 纯Si 掺杂P的Si P原子的额外电子处的能级，处于Si的禁带中的上半部。 P：施主，相应的能级为施主能级，Ed 这种半导体为N型半导体 Ec EV 导带 Eg Ed 来自杂质原子的额外电子 2.4 半导体 2) 施主能级改变材料的导电性 这时不需要提供与能带间隙（Eg=Ec-Ev)大小相当的激活能，而只要将电子从Ed激活到Ec上. 电子为多子， 空穴为少子， n型半导体中电子与空穴并非一一对应。在电场作用下，N型半导体中的电流主要由多数载流子-自由电子产生 n型半导体又称为电子型半导体 2.4 半导体 ln? -(Ec-Ed)/K 1/T -Eg/2K 本征区 非本征区 耗竭区 给定两种n型半导体 （1）如何确定它们是同一种宿主材料？ （2）如果宿主材料相同，如何确定他们含有相同的掺杂材料？ 2.4 半导体 （3）P型半导体： 将B的原子加入到Si晶体中，由一个B原子提供3个价电子，分别与4个相应的Si原子的3个形成共价结合，与第4个Si原子之间的共价键“丢失”了一个电子，形成空穴，相应的能级处于Si禁带的下半部。 纯Si 掺杂B的Si Ec EV 导带 Eg Ea 来自掺杂原子造成的额外空穴 价带 空穴可以从价带上吸收电子，称为受主能级，这种半导体称为P型半导体。电子从价带激发到受主能级，相对于将电子激发到导带上去要容易很多。 Ea为受主能级，是电子从价带跳到杂质原子能级所需的能量。杂质原子为受主 设Ev为0 ln? -Ea/K 1/T -Eg/2K 本征区 非本征区 饱和区 2.4 半导体 类型 ?0 E* n 本征 N0qe(?e+ ?h) Eg 2 N型 N0qe?e Ec-Ed 1 P型 N0qe ?h Ea 1 N型半导体和P型半导体统称为杂质半导体，与本征半导体相比，具有如下特性： （1） 掺杂浓度与原子密度相比虽很微小，但是却能使载流子浓度极大地提高，导电能力因而也显著地增强。掺杂浓度愈大，其导电能力也愈强。 （2） 掺杂只是使一种载流子的浓度增加，因此杂质半导体主要靠多子导电。自由电子或靠空穴导电。 计算： Si中掺杂浓度为1018原子/cm3的Al，给出ln?对1/T的关系曲线 （1）计算本征区的斜率； （2）计算非本证区的斜率 （Al对应的Ea为0.057ev,Si的能带间隙1.107ev。） 2.5 超导体 2.5.1 概述：