高耐压Si基GaN功率电子器件.pdfVIP

第33卷 第6期 固体电子学研究与进展 V01．33，No．6 2013年 12月 RESEARCH PROGRESSOFSSE Dec．，2013 矿 、 、 、 、 宽禁带半导体 《 ＼ 、 ＼l _--J Ej 同耐压 Si基 GaN功率电子器件 管邦虎 “孔 岑 耿习娇 陆海燕 倪金玉 周建军 孔月婵 冯 军 陈堂胜 (南京 电子器件研究所 ，微波毫米波单片集成和模块 电路重点实验室，南京，210016) (。东南大学射频与光 电集成电路研究所 ，南京，210096) 2013—07—17收稿 ，2013—09—04收改稿 摘要 ：基于 Si基 GaNHEMT材料制作 了击穿电压530V、无场板的功