冉绍尔-汤森效应试验探讨-复旦大学物理教学试验中心FudanPhysics.PPTVIP

经典理论认为，散射截面与电子的运动速度无关，只与原子的体积大小有关，但冉绍尔和汤森的发现却颠覆了这一概念。简单的说，冉绍尔-汤森效应即在稀有气体中，电子能量约为1eV时，电子的散射截面会出现一个极小值。 * 现在我来简要介绍一下本实验的原理，大家现在看到的就是实验所用电子碰撞管的简化电路，F为灯丝，Ef为灯丝电压，K为阴极，P为收集极，EA为加速电压，Ec为补偿电压，用来抵消碰撞空间的接触电位差。灯丝经加热后，由阴极K发射电子，形成电流Ik，一部分被屏蔽极接收，另一部分进入等势区，受到散射的电子形成屏蔽极电流Is2，未受到散射的电子则到达板极，形成透射电流Ip。我们所测量的数据为Is和Ip，以及加速电压EA。 * 这就是计算散射概率的公式，但是从测量原理图中可以看出，I0是无法直接测得的，所以我们引入几何因子f，辅助测量。得到f和散射概率的关系式。 * f与充气闸流管的几何结构及所用的加速电压、阴极电流有关，在液氮环境下测量f，可以近似认为它与板流与栅流之比相等，【因为此时管内的氙-氪混合气已经冻结，可以认为电子不发生散射】。但要利用此公式进行计算，一定要保证室温下和液氮下的阴极温度相同，Is和Ip的和要不变，否则实验条件发生变化，测得f就没有意义了。 * 由屏幕上的公式，我们就可以通过测量不同环境下的Is，Ip和VA来研究散射概率或散射截面与电子速度的关系了。 * 大家现在看到的是实验中利用示波器实际观察到的Is-VA，Ip-VA曲线，这是在交流电路下的初步观察，通过直流条件下的测量，得到了右图，这是常温下Is-VA，Ip-VA曲线，可以发现，Is随VA的增大而增大，呈“类线性”关系，但Ip在VA约为0.1V时发生了突变，这正是电子受到散射的结果。这是低温下Is-VA，Ip-VA曲线，两者均呈良好的“类线性”关系，这是因为此时管内氙氪混合气冻结，管内相当于真空状态，电子不受散射影响。 * 通过上面的测量，我们得到了Ps-√VA的关系图，由于从零开始增大VA时仪器读数非常不稳定，所以我舍去了较前的几组数据，得到现在这张图。从图中可以读出，VA=0.9025V时，散射截面有最小值，VA=7.0756V时，散射截面有最大值0.833。理论上，极值应当出现在0.9V和6.5V，造成误差的原因一是Is变化范围很大，测量过程中改变量程对读出的精确度有一定影响，另一方面液氮下测量时实验环境真空度不够，也会造成影响。 * 为什么会出现散射截面极小值呢？按照经典理论，电子是刚性球，散射截面满足关系式Q=πd^2，与电子运动速度无关，这一理论显然不能解释冉绍尔-汤森现象，现在用量子理论对这一现象进行解释。我们将电子看做平面波ψ，用分波法计算低能电子的散射截面。 * 设入射粒子与散射中心之间的相互作用势能用中心力场为U(r)表示，并假定r→∞时，U→0，则体系的薛定谔方程写为： 做一步代换，将方程化简为以下形式 则方程应满足边界条件 f是沿方向（θ，φ）向外传播的散射波的振幅，称为散射振幅。 * 这一问题就变为求解不同势函数下的方程，这一方程通解形式为 选取粒子入射方向并通过散射中心的轴线为极轴，则波函数及散射振幅都与φ无关，即m=0，那么方程的解就可以化成下式，其中Pl为勒让德函数，是已知的。 * 接下来讨论Rl所满足的径向方程，做代换得到ul的方程，根据一般解形式得到Rl的表达式，从而得到了散射波的表达式 * 现在我们将入射平面波展开为一系列球面波的叠加，其中jl为贝赛尔函数，Pl为勒让德函数，根据贝赛尔函数的形式，得到平面波的表达式，对比散射波可以发现，散射波在θ方向上并无变化，但是多了一个相移δl * 我们将上述结果带入边界条件，散射波肯定满足这一条件，通过这一等式，我们可以求出散射振幅f的表达式 * 这样最终问题就归结为求相移δl上来，求出微分截面q的表达式，从而得到整个截面Q的表达式，但是在低能情况下，我们只需要考虑l=0的分波，得到 可以看出当δ0=nπ时，散射截面有最小值0 * 由刚才的代换，可以求出u所满足的关系，再由函数的连续性就可以得到下式，解出这一方程，就可以得到散射截面极小时的k值，进而得到相应电子能量最小值。但是遗憾的是没有解出k值，不过从上式可以发现，ka1，这也反证了冉绍尔-汤森效应产生于低能电子态。这就是对这一现象的量子解释。 * 下面，我们再来看一下f-VA的关系，首先就f的值进行一下估算，假设电子能在全空间被散射，那么由定义可知f可近似认为是电子束散射空间立体角之比，可得f约为0.012； 实际测得的f并不是一个定值，且f0.035，虽然实际结果与理论值有一定差距，但数量级并没有改变，所以可以认为f主要是由充气闸流管尺寸决定，加速电压和阴极电流对其的影响还需要进一步实验验证。 【对于f的变化，原因有以下几