掺钪之氧化物导电透明薄膜-eTop-工程科技推展平台.PDFVIP

行 精 類 行 年年 行 立 料 林 參理 理 利 年 年 ■成果報告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 摻鈧之氧化物導電透明薄膜(n型含鋁氧化鋅、p型含銀、銅氧化物 單層膜與其 n-p型及 p-n型複層膜)之結構特性研究與腐蝕試驗 計畫類別：■個別型計畫 □整合型計畫 計畫編號： NSC 98 －2221－E－008－026 執行期間： 98 年 08月 01日至 99 年 07月 31日 執行機構及系所：國立中央大學 機械工程研究所 計畫主持人：林景崎 共同主持人：無 計畫參與人員：林景崎、彭坤增、曾群安、彭彥鈞、張毓峰 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交 ) ：■精簡報告 □完整報告 本計畫除繳交成果報告外，另須繳交以下出國心得報告： □赴國外出差或研習心得報告 □赴大陸地區出差或研習心得報告 □出席國際學術會議心得報告 □國際合作研究計畫國外研究報告 處理方式：除列管計畫及下列情形者外，得 立即公開查詢 ■涉及專利或其他智慧財產權，□一年■二年後可公開查詢 中 華 民 國 99 年 08 月 15日 1 摘要 本計畫在探討摻鋁氧化鋅(Al-doped zinc oxide, AZO) 、摻錫氧化銦(Tin-doped indium oxide, ITO) 、 摻鈧之AZO (Sc-doped AZO)及經 300℃熱處理1 小時後之AZO(Annealed AZO) 等不同透明導電氧化薄 膜在 3.5%NaCl溶液中 、不同pH 之緩衝溶液中之電化學行為。研究方法採用開路電位量測、線性極化 掃描 來研究 它們的電化學現象，進而採用定電位進行不同時間之氧化、還原反應 來研究其表面之生成 物 ，以理解其反應機制。 研究結果顯示 ：在 3.5%NaCl中， 上述之透明導電氧化薄膜的 抗腐蝕能力由大而小依序為Annealed AZO ＞ ITO ＞ Sc-doped AZO ＞ AZO 。顯然 摻雜鈧有利於 AZO 薄膜提升其抗腐蝕能力。若控制 AZO中 鈧摻雜量在0~1.7 wt.% ，其抗腐蝕性由小而大依序為：0 wt.% 0.006 wt.% 0.134 wt.% 0.242 wt.% ，隨鈧摻雜量濃度增高，其抗蝕能力增強。 AZO 透明導電薄膜在弱酸 (pH=4.10) 、弱鹼(pH=11.58)性的 緩衝溶液下 ，測量 其開路電位 ，並以不 同掃瞄速率進行循環伏安 (Cyclic Voltammetry電化學) 法測試 ，結果顯示：在 50 mV/s 之掃瞄速率下， AZO 有明顯之氧化還原特性峰值。Annealed AZO 薄膜在緩衝溶液中，其氧化還原特性峰的電流值 比 AZO低，顯示 經300℃熱處理後，使 AZO 薄膜活性下降，因而提升其抗腐蝕能力。定電位實驗可印證 上述結果，並有助於解析氧化及還原之相關反應。 關鍵字：鋁摻雜氧化鋅、鋁鈧共摻雜氧化鋅、線性極化、熱處理、循環伏安法、緩衝溶液。 Abstract