中国电子气体的现状及发展走向-期刊.pdfVIP

孙福楠，岳成君 (光明化工研究设计院，辽宁大连481信箱116031) 摘要：详细地介绍了中国电子气体的技术现状。 从光电子、微电子生产中具体使用的几种 主要气体的工艺制造上进行了极为详细的介绍。 同时，对电子气体的未来发展进行了展望。 关键词：电子气体；工艺制造；现状：展望 中图分类号：TQIl7 文献标识码：A 1前言 在微电子、光电子器件生产过程中，从芯片的生长到最后器件的封装，几乎每一步、每一个环 节都离不开电子气体，因此，电子气体被称为半导体材料的“粮食”和“源”。半导体器件性能的好 坏，在很大程度上取决于所用电子气体的质量，电子气体纯度每提高一个数量级，都会极大地推动 半导体器件质的飞跃，正因如此，发达国家都在积极发展具有自主知识产权的电子化学气体，并且 取得了明显的效果，由于电子气体质量决定着Ic技术的发展，而半导体器件又广泛地应用于民用和 军工领域，且发展势头强劲，它影响到国民经济和国防的许多方面，因此，有关电子气体的生产、 净化、包装、分析等技术多在国际属于高度保密。 同光电子、微电子工业一样，我国电子气体的研究与生产起步较晚，资金投入量也显得相对不 足。改革开放以来，中国政府已将Ic产业列为未来国家发展重要的支柱产业，因此，电子工业、光 电子产业、光纤制造业发展迅猛。为满足家用电子、汽车电子巨大的市场需求，中国在原电子部的 几条Ic生产线的基础上，又相继开发和引进几十条相对比较先进的Ic生产线，近年来又有大批民 产业国际化竞争曰益加剧，中国完全依赖进口电子气体生产Ic，正面临着严峻的市场考验，此外， 电子气体多为易燃、易爆、剧毒，在国际上属于控制范畴，进口相对麻烦，运输周期较长，这严重 制约国内光电子、微电子的健康稳定发展，因此，中国的Ic制造商一直渴望国内开展电子气体的研 究与生产，以解决Ic生产的“源”的问题，从根本上解除以Ic制造业的后顾之忧，打通兆位级集 成电路和ULSI级集成电路发展的“瓶颈”问题。光电子、微电子制造过程包括外延、成膜、掺杂、 蚀刻、清洗、封装等诸多工序，需要的高纯电子化学气体及电子混合气高达30多种以上，那么，我 国电子气体水平同国外同行先进水平相比，在技术方面相差到底多大，发展走向如何?下面仅就Ic 108 制造过程中的几种最有代表性的电子气体，在技术路线上分别进行介绍，以飨广大读者。 2各种电子气国内外技术路线比较 2．1硅烷(Silane) SiH。气体是电子气体中最重要的品种，它用于半导体多晶硅、外延膜生成、硅器件纯化膜和聚 硅膜的原料气，有资料介绍SiH-用量大约以50％的比例增长，其中用于硅器件约占58％，用于感光磁 鼓30％，其余30％左右用于非晶型太阳电池。国外SfHa制造工艺大体可分为： (1)硅化镁法(小松法) M92Si+4NH4C1—塑塑!L_÷SiH4+2MgC]2+4N|l。 经试验发现两者收率几乎没有差别，含砷烷都较低，平均产率约为80％。所用的原料M臣si是在Hz 合作用，因此，生成的5iH。所含金属相对较少，粗制SiHt采用精馏或吸附、络合、吸收等净化工艺， 制造高纯SiH；。这种方法是对约翰逊工艺的改进，是世界上最早实现工业化的工艺，该工艺经逐渐 完善，在SiH。生产史上持续了近四分之一世纪，至今仍有一些Sim制造商采用此工艺。 (2)氢化铝锂法 SiCh+LiAIH4塑墅》SiH4+LiCI+AICl3 △ 化学活性较强，反应剧烈，需谨慎处理，因此，不宜大规模生产，但小规模合成非常方便实用。 (3)UCC工艺(非均化法) SiClr卜H2+Si—SiHCl3 SiHCh—1一SiH2Ch+SiCh SiHzCh—1F专SiHt+SiHCl。 该工艺是目前国际十分通用的工业化生产工艺，其生产SiH4的产量为上千吨，是一种可以生产 (催化剂为大孔离子树脂)后生成十分有用SiHzCl z，SiH。Clz再进行歧化转化为si乩，反应的每一步 用于光电子、微电子、光纤制造领域，因此，生产过程调节十分方便，由于可连续化生产，且根据