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3.能带的产生
离子键：阴离子满壳层形成价带；阳离子
空壳层形成导带.
CdS:S原子 2 4 10 2
3s 3p ,Cd原子4d 5s .
2 2 6 3p满壳层形成价带,
S : 3s 3p ,
2 10
Cd : 4d , 5s空壳层形成导带.
共价键：成键态形成价带；反成键态形成
导带.
Si原子：2 2
3s 3p .
sp3杂化轨道形成。
重叠处，
Si:VB为成键态；CB为反成键态.
10.3晶体中电子和空穴
1.半导体导电性
●满带中电子不
导电.
k k ,
v k v k .
●导带中电子导电.
●价带中空穴导电.
图(a)CB中一个电子和图(b) VB中一个空穴.
每平方厘米中每个带通常具有1022 1023
个态。
2. 空穴性质
●代表近满壳层价带中大量电子对电流的贡献.
满壳层电流为0=-q·V+J, J为VB 中近满壳层
价带中大量电子对电流密度的贡献，所以
J= q·V.
●电荷q q .
n re CB上出现多少电子, VB
上出现多少空穴.
●波矢
k k .
n re (满壳层电子总动量守恒).
●自旋n re （满壳层电子总角动量
守恒）.
●有效质量m m ,m 0.
n re re
●准粒子.
仅存在于晶体中；准动量
k k G ;
不同于正电子，因为正负电子系统
2 2
2 k
E m c ,
e,p 0 2m
0
其中E 2m c2 2 511keV .
g 0
●价带越深, 空穴能量越大.
3.布洛赫态不是动量的本征态.
ik r
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