半导体光学17禁戒跃迁.ppt

* 14.6禁戒跃迁 1.禁戒跃迁：激子与辐射场弱耦合，振子强度较小. 2.直隙材料 ①三重态激子 跃迁（单态激子 比较反射谱 ②纵模激子跃迁 ③偶极禁戒跃迁 这些材料中,最高的 价带与最低的导带具有相同的偶宇称,因此 属于偶极禁戒跃迁, 激子不存在（但 电四极矩和磁偶极矩跃迁存在,很弱）.双 光子跃迁下 激子存在，但是这些 态振子强度不与量子数 成反比，单光 子跃迁与双光子跃迁的选择定则不同. 3.间隙材料 ①间接激子跃迁过程中吸收或发射声子. 发射声子 吸收声子 ②吸收系数 发射声子过程 吸收声子过程 其中 包含跃迁矩阵元平方,即跃迁几率,与 声子的动量关系微弱. 是间接激子能量最小值. 为声子能量. 为声子数. 表示激子态密度. ●光子能量 吸收谱表现为叠加在带间跃迁吸收边上的一些台阶. 反射谱中也没有明显的结构. 比较直接材料 ③间接激子能量之上还存在直接激子跃迁. 但是寿命较短，即衰减很快. 激子 态难以观察. Ge极小值在L点. ④发光谱 ●发光过程发射单声子或多声子,频率相对 激子能量 红移. ●间隙材料一般不作为发光材料,但是激子 （或载流子）寿命相当长,在 隙材料中仅在 范围,而直 范围. 14.7低维系统中激子 一、d=2 1.I类多量子阱 ①概述： ●由于量子阱中无序结构的存在（界面粗 糙、混晶无序），光谱中激子极化激元的 细节无法显示. ●能带 ●跃迁 ●态密度 ②吸收谱 ●因为吸收系数正比于态密度，所以二维吸收系数变化呈台阶式上升. ●二维激子的振子强度 ●阱宽减小，频率兰移。 ③发光谱 相对吸收谱较宽,并且产生红移.发光来自 于 扩展态激子、局域态激子以及 束缚激子的复合. 束缚激子可以产生强非均匀加宽. 在高质量样品中, 单低能端发光仍与局域态激子(源于阱宽起伏）、束缚激子复合有关,与双激子复合有关. ④反射谱 ●某些层的FP模比激子共振更显著得多. ●共振区,二维振子强度f较三维振子强度f更强,但是由于谱线加宽,该效应通常被抵消. PLE：横坐标是激发光能量。 *