半导体光学19发光谱.ppt

* 3.发光谱 扩展态激子激发 局域态激子激发 CdS ●高能端发光谱与扩展态→局域态跃迁有关：扩展态激子在运动过程中被非辐射中心俘获，即发射声子被局域.该局域激子进一步辐射发光,或进一步达到更低的局域态. 局域激子能量越低,局域态密度越小, 局域激子驰豫几率降低. ●高温情况下,即 大部分局域激 子可以热激发到扩展态. 扩展态激子的行 为类似与自由激子,但是由于混晶散射,相驰豫时间很短. 第16章 外场影响下的激子 16.1磁场 1. 磁场强度划分 ①两个能量单位 电场：激子的里德堡常数 表示激子的 电离能. 磁场：激子的朗道能级 回旋能量为 其中 是激子约 化质量. 朗道能级跃迁满足 激子能量 其中 为磁场不存在下能带极值. 平行磁场波矢. 为 态密度 类似一维 态密度. 为 时态密度. ②三个范围 ●弱磁场： 即 磁场视为微扰. ●强磁场： 即 首先考虑朗道能级,然后考虑库仑能量. ●中等强度磁场： ～ 2.能级变化 ①抗磁移动 ●基态激子 角动量为0,因此固 有磁矩为0.但是在磁场作用下,由于电子 和空穴受到洛伦兹力的作用,激子产生角 动量,且正比于 方向反平行 生感应磁矩. 相应也产 ●相应磁矩在磁场中附加能量 其中 所以抗磁移动 随着 增加而增加.CdS中A激子, ②塞曼能移 ●在 情况下,激子中电子和空穴具有 自旋磁矩,该磁矩在磁场中产生附加能量 其中“+”对于三重态激子 ,“-”对于单 态激子 3.光谱 ●反射谱 随着 激子能级产生塞曼分裂. ●透射谱 随着 和 产生塞曼能级 分裂. S点： 性点,两种偏振态能量发生转移,在透射谱产生一个“谷”. 各向同 激子能移随 变化 激子极化激元 激子 . ○双光子拉曼散射,△透射谱,□反射谱 能级的移动 ●磁致极化激元 产生8个激子支，9个激子极化激元支. 激子能级随 变化 与 激子比较, 更显著. ●朗道能级观察 条件： 问题解决：选择连续态激子,即自由电子空穴对,并且要求谱线线宽小于回旋能量, 即 16.2 电场 1.斯达克效应 在静电场 作用下,激子能级发生移动. 2.三维系统 要求 产生激子的能移与吸收谱线宽度 可比,即 这样, ～ 激子电离,或激子谱线因 碰撞加宽(载流子加速). 作用下,激子频率发生移动,谱线加宽, 峰值降低. 3.二维系统 ① 垂直于层面. ●电子和空穴分别移到势阱的一角（能量低）,激子束缚能减小； ●e,h能量降低； ●能隙减小. ②吸收谱 ●激子红移； ●振子强度减弱； ●禁戒跃迁出现（选择定则 失效）. 16.3应力场 1.形变势 其中 是晶格常数. 2.结果 ●应力∥单轴,晶体对称性没有被破坏,只能产生能移. ●应力⊥单轴,晶体对称性被破坏,产生能级分裂. c p 应力产生能移. Sr锶 △界面间应力作用强于表面,且仅产生能移. （立方晶格） c △体材料中激子能量与界面态以及表面态激子能量有所不同。 （立方晶格） 晶体生长过程产生形变原因：晶体与基底晶格常数不同,以及热胀冷缩效应不同产生位错,降低了对称性,导致lh和hh能级分裂. *