表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究3.PDFVIP

　第 20 卷第 1 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 1　 V o l N o 　1999 年 1 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Jan GaP ( 100) 表面硫钝化与稀土金属 Gd 界面形成的同步辐射光电子能谱研究 孙玉明　陆尔东　徐法强　徐世红　余小江　张发培　徐彭寿　张新夷 ( 中国科学技术大学国家同步辐射实验室　合肥　230029) 摘要　利用同步辐射光电子能谱研究了 钝化的 ( ) 淀 CH CSN H GaP 100 表面和稀土金属 Gd 3 2 积到 ( 100) 表面的界面形成, 结果表明 溶液对 ( 100) 表面具有钝化作 S GaP CH CSN H GaP 3 2 用, 形成了Ga 和P 的硫化物钝化层, 对钝化表面退火, P - S 键逐渐消失, 而仅仅留下了 Ga- S 键. Gd 淀积到硫钝化退火的GaP 表面, P 的扩散被有效地阻止, 而 S 仍保持在界面处, Gd 与表 面的元素态 P 和二聚体 Ga 反应, 形成金属 Ga 向淀积的Gd 金属层扩散, 导致金属 Ga 在表面 偏析. : 8160 , 7960, 6820 PACC C 1　引言 [ 1 ] 自从Sandroff 等 发现硫化物水溶液对 GaA s 表面具有钝化作用以来, 有关 族化 合物半导体的硫钝化已经引起了人们的广泛关注. 特别是 GaA s 的硫钝化报道已从 S 与表 面的化学成键, 表面结构和钝化层的稳定性及其钝化处理对改善光学和电学性能等方面作 [ 2～ 5 ] [ 6, 7 ] 了研究 . 对其它化合物半导体 InP 的硫钝化表明其金属绝缘体半导体场效应晶体 管的电流增益提高和稳定性增强. 已经有报道用H 2 S 气体化学吸附于 GaP ( 100) 表面进行 ( ) ( ) 硫钝化的研究, 认为仅仅形成了 - 键, 并且发现了新的 001 1 ×2 再构表 Ga S S GaP [ 8, 9 ] + 溶液表明对 表面具有很好的 面 . 我们发展的一种新的硫钝化体系, 3 2 H