可挠式有机电晶体临界特性调变与掺杂技术研究.PDF

行 臨 精 類 行 年年 行 立 參理 理林 理 論 理 利 年 年 97年度國科會微電子學門「固態電子」領域研究計畫成果集 可撓式有機電晶體臨界特性調變與摻雜技術研究 計畫編號： NSC 97-2221-E-018-025-) 主持人：王右武 單位：國立彰化師範大學光電科技研究所 E-mail: wangyw@cc.ncue.edu.tw 電話 :047232105-338 計畫簡介 計畫進行以研究有機薄膜電晶體之臨界特性為主。而 臨界特性主要反應在兩個電晶體特性之 上，一是臨界電壓 (Vth) ，另一個則是次臨界斜率(SS) 。操作此兩項參數的具 體手段眾多，包括改變元件結構、使用緩衝層、調變有機 半導體原子排列方式等。此處我們首先微調有機半導體層 的厚度與元件結構，觀察其臨界特性的變化。其次使用自 組裝分子層(SAM)修飾介電層，進行有機半導體的成長調 變。除了傳統的電壓電流量測之外，我們亦使用導納頻譜 分析，進行界面能態的萃取，並探討環境對有機電晶體元 圖 1(A) Schematic cross section of inverted-staggered (top- contact) device 件操作的影響。結果吾人發現，對於五苯而言，未純化的 geometry. (B) and (C) the top view SEM images of pentacene film with thickness of 106 and 143 nm, respectively, in the active channel of OTFTs. 雜質形成額外的摻雜，造成臨界特性的轉移，因此在電晶 體中，若是改變半導體的厚度 將可形成不同的臨界偏壓， 甚至可以調變出空乏型與增益型電晶體。而使用 SAM 進 行處理，可控制的電晶體參數就更多了，除了臨界偏壓之 外，界面能態狀況也被劇烈的影響，甚至在有機半導體中 的分子間作用力亦受到不等程度的加強，導致場效載子遷 移率的增加。 圖一為我們所使用的標準元件結構為上接觸式電晶 體。圖二為我們所得的臨界特 性相對半導體厚度之結果。 相關的成果已發表於 Solid State Electronics 上。圖三為使 用不同 SAM修飾層控制五苯生長的元件，利用導納法的 量測結果，可分別萃取出不同的界面能態，而其對臨界偏 圖 2(A) The threshold volt