复旦电子工程系模电课件.ppt

2003/6 模拟电子学基础 第 2 章半导体器件 半导体基础知识 半导体材料的结构与特点 载流子及其运动 PN结 半导体材料 Si,Ge,GaAs,... 4价元素或化合物 电阻率介于导体与绝缘体之间 具有类似的结构 本征半导体 4价元素，外层有4个电子 每个原子与周围4个原子形成共价键 本征激发：价电子受热（或光照）获得能量 → 脱离共价键 → 载流子（电子与空穴） 杂质半导体 施主杂质 V族元素 共价键多余1个电子 材料中电子多于空穴 N型半导体 受主杂质 III族元素 共价键缺少1个电子 材料中空穴多于电子 P型半导体 杂质半导体中的载流子浓度 多数载流子（简称多子）基本上由掺杂形成，所以多子浓度接近掺杂浓度 少数载流子（简称少子）由本征激发形成 多子浓度远大于少子浓度 若在一块半导体材料中同时掺入施主杂质和受主杂质，则产生杂质补偿作用，杂质半导体的特性由掺杂浓度高的杂质所决定 载流子的运动 扩散 载流子浓度梯度作用下载流子定向运动 扩散电流的大小取决于载流子浓度梯度以及载流子的扩散系数 漂移 外电场作用下的载流子定向运动 电子与空穴的漂移速度(迁移率，记为 μn和 μp)不同，电子的迁移率大于空穴的 PN结 利用杂质补偿原理，在P型和N型半导体的界面上形成PN结 在PN结的界面上发生载流子的扩散 由于复合作用，界面上载流子被耗尽（耗尽层） 耗尽层内由于离子带电形成