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提取集成电路热阻参数试验方法研究 钟征宇、焦慧芳、温平平 信产部电子五所元器件中心 广州1501信箱 510610 摘要:本文从老化筛选模型入手，阐述了老化模型参数热阻的重要性。基于热阻测量原理， 给出了常见的热阻测量方法，同时分析了各测量方法的优缺点。在此基础上提出了一种新颖 的封装热阻估计实验方法，虽然本方法不能精确地测量出国产VLSI的热阻值，但给出了一 种国产VLSI封装热阻数据的获取方法。实验证明这种方法具有较强的实用性，不失为一种 国产VLSI热阻参数快速确定的_E程技术。 关键词:热阻;VLSI;老化模型 1引言 对于硅集成电路，在工作过程中，芯片温度每提高IOC，器件的失效率约会增加一倍I【n0 芯片温度在老化过程中起着决定性的作用，由此可知集成电路的热阻对产品的老化效果有十 分重大的影响。不同的热阻，即使其它老化条件都相同，其老化效果存在很大的差异。因此， 国外的一些知名CPU生产商，如Intel和AMD等，为了保证白己产品的高可靠性，每款产 品都会给出明确的热阻值，并给出严格的老化筛选规范，以保证到达用户手中产品的质量和 可靠性，从而提高客户信任度.反之国内在集成电路热阻的研究方面与国外存在很大的差距。 到目前为IF，国内儿乎没有集成电路测试封装厂能给出他们为客户封装的每一款芯片的热 阻，只有少数儿种作为研究考察需要的简单封装 (如DIP)列出了热阻值121[1]。这对电确评 估国产集成电路的性能和可靠性是十分不利的。 本文以通用的CPU486为研究对象，从VLSI老化模型入手，对土要模型参数热阻及其 对老化效果的影响进行了研究。基于热阻侧量原理，提出了一种新颖的封装热阻测量实验方 法。该方法虽然不能精确地测量出国产VLSI的热阻值，但实验证明，作为一种国产VLSI 老化模型热阻参数快速确定的_:程「化技术，这种方法具有较强的实用性。 2老化筛选模型 一般来讲，老化过程是通过温度应力和电应力对半导体器件进行苛刻的试验使故障尽早 出现。器件的老化试验退化模型服从Anhenius方程[1)(见F式)。 r. R少)=Ae一kr (1) 式中R(T)是温度T时的反应速率，A为一系数，E，为对应的反应激活能，k为Boltzmann 145 常数。R(T)越高，退化越快，失效率越高，器件的平均无故障工作时间也越短. 对于不同的VLSI产品，在老化过程中，如果它们的芯片温度相同，从Arrhenius方程 可以得出其退化速度接近相等，老化效果基本上相同，故芯片沮度可以表征老化应力强度。 VLSI老化芯片温度一般可以用 (2)式描述151, T,=T,,+尸xe.U (2) 其中，Ti表示VLSI芯片温度，TA是指环境温度，P为芯片_I-作功耗，Ua;是芯片到环 境的热阻。由于TA可以设置为某一确定值，所以要确定老化时芯片温度Tj的关键就在于确 定功率P与热阻U.,，的乘积。 根据 (2)式，芯片的工作功耗P及环境温度TA都容易得到，只要其热阻8.,，确定的话， 就能确定出芯片温度。因此，确定热阻参数对VLSI的老化模型非常重要。 3集成电路封装热阻及其测量原理 集成电路的热阻0.1*一般由四部分组成见图1:芯片热阻0芯片、焊接层热阻Utvi、外壳 热阻U、、和环境热阻0tf1.2，具体可表示成 (3)式。 硅片 芯片背面金属化层 底座镀层 底座 图1芯片封装的基本组成 era=凡片+B}}+8*,,_