2.3 2.4半导体的电学性质.ppt

2.4、电介质材料及其介电性能 等量异号电荷相距一段距离，这个系统就称为电偶极子，电荷和位移的乘积称为这个系统的电偶极矩，其方向与外电场方向一致。 非极性粒子正负电荷中心重合，在外电场的作用下形成电偶极子。 极性粒子本身具有一定的电偶极矩，在外电场的作用下定向排列。 1：电击穿 在强电场的作用下，原来处于热运动状态的少数“自由电子”将沿反电场方向定向运动 “自由电子”不断撞击介质内的离子，同时将部分能量传递给这些离子 当外加电场足够大时，可使介质内的离子电离出新的电子（次级电子） 如此不断循环往复，又产生三级电子，形成“电子潮”，使介质内的电流迅速增长，导致介质击穿 这个过程是瞬间完成的（时间：10-7－10-8s） 2：热击穿 绝缘材料在电场下工作时，由于各种形式的损耗，部分电能转化为热能，使介质温度升高 当器件内部产生的热量大于器件散失的热量时，器件温度会不断升高 升温的结果进一步增大损耗，使发热量进一步增多 当温度超过一定限度时，介质会出现烧裂、熔融等现象而完全丧失绝缘性能 这种现象就叫热击穿 3：化学击穿 长期运行在高温、高湿、高压、腐蚀环境的绝缘材料，会发生化学击穿 化学击穿和材料内部的电解、腐蚀、氧化、还原、气体电离等因素有关 损坏过程需要很长时间，因此称为“老化” 化学击穿机理 由离子式电导引起电解，材料中发生电还原过程，使材料的电导损耗上升，强烈的发热使器件热化学击穿 介质中含有气孔，由于气孔的游离放出热量使器件的温度上升导致最终击穿 由弱束缚电子引起的： 晶格热振动 晶格缺陷 杂质 化学成分的局部改变 电子能态变化 出现位于禁带中的局部能级 形成弱束缚电子 电子松弛极化建立的时间：10-2~10-9s 离子松弛极化 在玻璃态材料、结构松散的离子晶体或晶体中的杂质或缺陷区域，离子自身能量较高，易于活化迁移，称为弱联系离子，此迁移为不可逆过程。 极化建立时间为10-2~10-5s，离子松弛极化率与温度成反比，故温度越高，热运动对质点的规则运动阻碍增强，极化率减小。 无外加电场时，各极性分子的取向在各个方向的几率是相等的．就介质整体来看，偶极矩为零。当外电场作用时，偶极子发生转向，趋于和外电场一致．但热运动抵抗这种趋势，所以体系最后建立一个新的平衡． 极化率比电子高得多，建立时间： 10-2~10-10 s。 （4）转向极化： 沿外场方向取向的偶极子比和它反向的偶极子的数目多 宏观偶极矩 发生在极性分子介质中 - - - - + + + + - - - - + + + + - - - - + + + + 外电场 P （5）空间电荷极化： 在不均匀介质中，如介质中存在晶界、相界、晶格畸变、杂质、气泡等缺陷区，都可成为自由电子运动的障碍；在障碍处，自由电子积聚，形成空间电荷极化，一般为高压式极化。 极化率随温度升高而下降。因为温度升高，离子运动加剧，离子容易扩散，空间电荷减小。 极化时间较长，大约几秒到数十分钟，甚至数十小时，因此空间电荷极化只对直流和低频下的极化强度有贡献。 空间电荷极化 松弛极化 转向极化 离子极化 电子极化 工频 声频 无线电 红外 紫外 极 化 率 或 ? 极化率和介电常数与频率的关系 各种极化形式的比较 有 随温度升高而减小 直流——低频 结构不均匀的材料 空间电荷极化 有 随温度变化有极大值 直流——超高频 有机 转向极化 有 随温度变化有极大值 直流——超高频 高价金属氧化物 电子松弛极化 有 随温度变化有极大值 直流——超高频 离子不紧密的材料 离子松弛极化 很弱 温度升高极化增强 直流——红外 离子结构 离子位移极化 无 无关 直流——光频 一切陶瓷 电子位移极化 能量消耗 与温度的关系 极化的频率范围 极化的电介质种类 极化形式 1 介电常数ε的概念 ----综合反映电介质材料极化行为的一个主要宏观物理量．它表示电容器(两极板间)在有电介质对的电容与在真空状态(无电介质)时的电容相比较时的增长倍数． A B C D 充电荷： UABUCD 介质的电极化，在表面上出现了感应电荷部分地屏蔽了极板上的电荷所产生的静电场 2.4.2 电介质材料物理性能 它是一个大于1、无量纲的常数，是综合反映电介质极化行为的宏观物理量 电介质在电场作用下要产生极化，如果外加电场越强，沿电场方向取向的偶极矩越多，或者说电介质极化的程度越强。为了衡量电介质极化的强弱，用单位体积中电介质感应偶极矩的矢量和，即极化强度矢量P来度量： 式中： 为电介质材料的极化率。 对于均匀的电介质材料， 是个常数． 它定量地表示出材料被电场极化的能力