第4章 材料的凝固.pptVIP

(1)非均匀形核能 设一晶核α在型壁W平面上形成，形状为一球缺，其自由能的变化为△G △G= △GVVα+ △GS 当α≤2时，在x=0.5处界面能最小，因此界面呈微观粗糙界面。 当α2时，在x=0和x=1处界面能最小，因此界面呈微观光滑界面。 此原理适用于接近凝固温度(1℃范围)，过冷度较低，生长速率较小时的状态。不适用于非平衡凝固状态结晶形状的解释。 4.4.2晶体长大方式和生长速度 1.连续生长 ①条件：发生于粗糙界面上； ②方式：连续地垂直于界面进行 ③速率：当动态过冷度增大时，平均生长线速率初始呈线性增大。 过冷度△TK 长大速率νg 晶体的生长方式与液固界面的微观结构有关，分为三种方式 长大速率νg 过冷度△T 对于大多数金属材料，由于动态过冷度很小，平均生长率与过冷度成正比。 过冷度△T 长大速率νg 对于无机化合物材料及有机材料，生长速率随过冷度增大达到极大值后，过冷度进一步增大，生长速率下降。 2.二维形核 ①发生条件：光滑界面 ②生长方式：二维晶核在相界面上形成后，液相原子沿晶核侧边俯着直至铺满整个表面。 ③生长速度：生长速度受边界线长度影响，因此不连续。其平均生长速率为： 由于二维形核功较大，二维晶核达到一定临界尺寸后，才能进一步扩展，因此生长速率一般较小。 3.籍螺型位错生长 ①发生条件：光滑界面上存在螺型位错 ②生长方式：原子沿着螺型的台阶充填，且台阶不会消失，以保证晶体不断的向液相推进。 由于晶面上所提供的缺陷有限，故生长速率小。这种生长方式可在一些非金属晶体上观察到。利用一个位错形成的单一螺旋台阶可生长出晶须。 ③生长速率： 返回 4.三种长大方式vg与△TK关系的比较 4.4.3 晶体的生长形态 固 液 界面 温度 距离 Tm 过冷度 Tm 温度 距离 过冷度 界面 正温度梯度 负温度梯度 1.在正温度梯度下 结晶潜热通过固相散出，固相推移速度受固相传热速度控制，晶体的生长接近平面状向前推移。 对于光滑界面结构的晶体，其生长形态呈台阶状，组成台阶的小平面是晶体的一定晶面，虽整体上晶体向前推移，但所具有的小平面与等温面呈一定角度。 对于粗糙界面，其生长形态呈平面状，界面与液相等温面平行。 Tm Tm 2.在负温度梯度下 结晶潜热即可通过固相散出，也可通过液相散失。如果部分的相界面生长突出到前面的液相中，由于前面的过冷度较低，其生长速度更快而进一步伸向液相，形成一次晶枝，再一次晶枝上进而长出二次晶枝、三次晶枝。晶体的这种生长形式叫树枝状生长或树枝状结晶。 树枝状结晶对粗糙界面物质表现最为明显，对光滑界面物质也有出现，但较不明显。如α值大的物质则更不明显，仍保持小平面状特征。 树枝状结晶时，伸长的晶枝有一定的取向，例如：面心立方〈100〉体心立方〈100〉密排六方〈1010〉 4.5 凝固动力学及晶粒尺寸 4.5.1凝固动力学 凝固速度：指固相体积随时间的增长率，由形核速度和晶体长大速度两个因素决定。形核速度又称形核率，指单位体积液相中，单位时间内所形成的晶核数目，用N（1/m2·s)表示。晶体长大速度是指晶体长大的线速度，用Vg（m/s）表示 (2)均匀形核率 形核率是指单位体积液体在单位时间内所形成的晶核数。 影响形核率的因素包括形核功因子和原子扩散的几率因子。形核率可表示为： 形核功因子 原子扩散的几率因子 比例常数 形核功 原子越过液、固相界面的扩散激活能 返回 温度较高时，形核率主要受形核功因子控制，随着过冷度增加，所需的形核半径减小，因此，形核率迅速增加，并达到最高值。 随着过冷度继续增加，虽临界形核半径继续减小，但原子在较低温度下难以扩散，此时，形核率受扩散的几率因子控制，因此过峰值后，随温度的降低，形核率随之减小。 (3)有效形核温度 在易流动液体中，随温度的降低形核率突然增加，此时的温度即为有效形核温度(T*)。随着过冷度继续增加，形核率未达到最大，结晶已完毕。熔点与有效形核温度之差(Tm-T*)称为有效形核过冷度(△T*),△T*/Tm一般在0.15～0.25之间。 对于高粘滞性的液体，均匀形核率很小，一般不存在有效形核温度。 (2)非均匀形核形核率 由形核率方程： 非均匀形核时的形核率由于形核能△G*het的减小，在过冷度较小时就可达到最大，其有效形核过冷度约为0.02Tm。 例:纯铜非均匀型壁形核临界晶核原子数的计算。 球冠体积为： 球冠高度 设h=0.2r*，得： 晶胞数为： 每个临界晶核的原子数目约为：4×5=20个 4.5.2 凝固后的晶粒大小控制 晶粒大小对材料的性能有重要影响。一般情况下，金属材料的强度、硬度、塑性和韧性都随晶粒