第三讲：晶闸管.pptVIP

晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 三端器件，A（阳极）、 K（阴极） G（门极或控制极）； 常用外形有螺栓型和平板型两种封装； 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 晶闸管及派生器件 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 管耗功率＝流过器件的电流×器件两端的电压 散热：管耗将产生热量，使管芯温度升高。如果超过允许值，将损坏器件，所以必须进行散热。 散热方式： 自然冷却（散热片） 风冷（风扇） 液冷 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 其他几种非正常导通的情况： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段 晶闸管及派生器件 晶闸管是一种四层半导体三个PN结，三端大功率电力电子器件。结构、电气符号如图所示。 晶闸管及派生器件 为了说明晶闸管的工作原理，可将晶闸管的四层结构等效为两个晶体管，如下图所示。 晶闸管及派生器件 当GK间加正向电压时，AK正偏，电流IG流入晶体管V2的基极，产生集电极电流IC2，它构成晶体管V1的基极电流，放大了的集电极电流IC1，进一步增大V2的基极电流，如此形成强烈的正反馈，使V1、V2进入饱和导通状态，即晶闸管导通状态。 晶闸管及派生器件 设晶体管V1和V2的共基极电流增益分别是?1和?2；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。可得 ： 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 通过实验验证和原理分析表明： 1．只要晶闸管阳极和门极同时承受正向电压时，晶闸管才能导通，两者缺一不可。 2．晶闸管一旦导通后，门极将失去控制作用，故门极控制电压只要是一个有一定宽度的正向脉冲电压即可，这个脉冲称为触发脉冲。 3．要使已导通的晶闸管关断，必须使阳极电流降低到某一个数值以下。这可通过增加负载电阻降低阳极电流接近于零。另外，也可以通过施加反向阳极电压来实现。 DATASHEET 晶闸管及派生器件 （一） 静态特性 静态特性又称为伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。包括：阳极伏安特性和门极伏安特性。 晶闸管及派生器件 （一） 静态特性 1、阳极伏安特性 ⑴ 正向特性 晶闸管及派生器件 （一） 静态特性 1、阳极伏安特性 ⑴ 反向特性 晶闸管及派生器件 （一） 静态特性 2、门极伏安特性 晶闸管及派生器件 （二） 动态特性 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 （一）晶闸管的电压参数（6个） 1．正向断态不重复峰值电压UDSM 晶闸管及派生器件 晶闸管在门极开路而结温为额定值； 以每秒50次每次持续时间不大于10ms，重复加于晶闸管阳-阴极之间的最大正向脉冲电压； UDRM为规定UDSM的80%。 晶闸管及派生器件 反向不重复峰值电压URSM应小于反向击穿电压，所留裕量大小由生产厂家自行规定。 晶闸管及派生器件 URRM规定为URSM的80%。 晶闸管及派生器件 5．额定电压UR 正向断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM两者中较小的一个电压值规定为额定电压UR。 6．通态峰值电压UTM 晶闸管导通且通过额定电流时的阳—阴极之间的管压降峰值。一般为1.5~2.5V 它随阳极电流的增加而略为增加。 通态平均电压降： 晶闸管导通且通过额定电流时的阳—阴极之间的管压降的平均值，一般为1V 晶闸管及派生器件 （二）晶闸管的电流参数（4个） 1．通态平均电流IT(AV） 在环境温度为+40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载的单相、工频半波导电，结温稳定在额定值125°时，所允许通过的电流平均值。 通态平均电流又称为晶闸管的额定电流。 晶闸管及派生器件 （二）晶闸管的电流参数（4个） 1．通态平均电流IT(AV） 晶闸管及派生器件 晶闸管及派生器件 2．维持电流IH 维持电流是指晶闸管维持导通所必需的最小电流。 （1）一般为几十到几百毫安； （2）维持电流与结温有关： 结温越高，维持电流越小，晶闸管越难关断。 晶闸管及派生器件 3．擎住电流IL 晶闸管刚从阻断状态转化为导通状态并除掉门极触发信号，此时能维