材料固有损耗对压电振子谐振特性及参数测量的影响.docx

文章编号:1000-1158(2001)01-0057-06材料固有损耗对压电振子谐振特性及参数测量的影响叶会英1,禹延光1,浦昭邦2(1.郑州大学电子工程系,郑州450052;2.哈尔滨工业大学自动化测试与控制系,哈尔滨150001)摘要:本文从考虑损耗时压电振子的阻抗(或导纳)方程出发,详细分析了材料固有损耗对压电振子的频率特性及参数测量的影响。分析结果表明:谐振(或反谐振)频率与理想无损时的相应值的偏差随损耗的增大而增大、随谐序的增大而减小。文中还进一步分析了机械损耗对压电振子几种常用参数测量结果的影响。关键词:压电振子;谐振特性;参数测量;误差分析中图分类号:TM301.4+2文献标识码:A1引言随着材料科学的迅速发展,不断出现新型的压电材料。近年来,出现了以PVDF(聚偏二氟乙烯)为代表的有机聚合物压电材料及压电复合材料[1,2],还出现了价格较低、容易制造、耦合系数大但有适度损耗的新型压电陶瓷材料[3,4],以及用于MEMS(微电子机械系统)中的压电薄膜及压电半导体材料。这些新型压电材料与压电陶瓷相比,具有损耗大的特点。严格来讲,任何压电材料都具有或多或少的损耗,主要包括机械损耗、介电损耗及压电损耗。压电振子的损耗问题虽然已提出三十多年,但直到近几年才被重视起来,主要原因是如石英、铌酸锂等压电单晶以及如PZT(锆钛酸铅)等压电陶瓷是低损耗材料,即高Q(品质因数)材料。这些材料一直使用至今且性能良好,在目前压电元件中仍占有主要地位。但随着国内外相继研制出低成本、易制造、高耦合系数但有适度损耗(不可忽视损耗)的压电陶瓷材料,有必要研究损耗对压电元件各方面性能的影响。本文旨在分析损耗对压电振子谐振特性的影响,以及对几种典型参数测量的影响。当考虑各种损耗时,压电振子将呈现非线性特性,若直接由非线性压电方程出发研究各种损耗的影响,则压电振子的阻抗或导纳方程将十分复杂,甚至无法用解析式表示。故本文将从另一角度来研究这一问题,即仍假设压电效应为线性,但将压电振子的所有参数作为复数考虑,用其虚部表示各种损耗的大小[5]。收稿日期:1998-04-08;修回日期:1999-08-0258计量学报2001年1月2损耗对压电振子谐振频率的影响211综合考虑多种损耗因素时的情况本文以纵效应振动模式为例进行分析。假定压电振子的振动为纯模式振动,压电效应为线性,则理想无损机械自由压电振子的阻抗表达式为[6]:k2Z(ω)=1-(1)式中:C0表示并联电容(对厚度伸缩振动模式来说即受夹电容),k是机电耦合系数,它与压电常数e33、介电常数εS及机械参数cD的关系为:33332e33k2=(2)εSD33c33当考虑损耗时(本文不详细分析损耗机理),假设e33、εS及cD都为复数,由式(2)可以看3333出,各种损耗反映在k上,使其也为复数,我们以k3表示。式(1)中γ为归一化频率,它与振子材料参数之间关系为:γ=2fhρ/cD(3)33式中:f为信号频率,h为决定谐振频率的压电振子的几何尺寸,ρ为材料密度。由式(3)知,考虑损耗时γ也是复数,我们以γ3表示,其虚部表示信号幅度的衰减。这样,考虑损耗时纵效应振动压电振子阻抗表达式可写为:k32Z(ω)=1-(4)谐振时Z(ω)=0,由式(4)得关系式:3k32tan(πγ/2)1-=0(5)πγ3/2式(5)也可写为:tan(πγ3/2)=πγ3/2k32我们用δ3表示频率偏移量,其定义为:δ3=M-γ3(6)(7)式中:M为谐振频率的谐序,对纵效应振动模式,高次谐振模式的谐序M只取奇数。将式(7)代入式(6)可得关系式:tan[π(M-δ3)/2]=π(M-δ3)/2k32(8)即cot(πδ3/2)=π(M-δ3)/2k32令δ3=δre+jδim,k3=kre(1-jκ),式(9)可写为:(9)π(δre+jδim)=π(M-δ-jδ)/2k2(1-jκ)2(10)cotreimre2利用公式:cot(x+jy)=sin(2x)-jsinh(2y)(11)cosh(2y)-cos(2x)式(10)即可化为以δre和δim为未知量的非线性方程组:?1994-2013ChinaAcademicJournalElectronicPublishingHouse.Allrightsreserved.tan(πγ3/2)πγ3/21jωC0tan(πγ/2)πγ/21jωC0第22卷第1期叶会英等:材料固有损耗对压电振子谐振特性及参数测量的影响59sin(πδre)π(M-δre)(1-κ2)+2κπδim=2k2(1+κ2)2cosh(πδim)-cos(πδre)re(12)sinh(πδim)πδim(1-κ2)-2κπ(M-δre)=cosh(πδim)-cos(πδre)2k2(1+κ2)2r