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专用集成电路报告
专用集成电路实验报告反相器的特性班 级：姓 名：学 号：指导教师：二○一六年五月二十日一、实验目的1. 了解反相器的电路结构和版图结构。2. 理解反相器的开关阈值。3. 理解反相器延时与电源和器件尺寸的关系。4. 理解反相器链的延时与器件尺寸的关系。实验内容和步骤画出一个双阱工艺反相器的版图示意图（不严格要求尺寸和比例关系，画出阱、扩散区、多晶栅极、栅接触孔、源极漏极接触孔、金属即可）。一个0.25um工艺的反相器，NMOS管的尺寸为L = 0.250um，W = 0.375um；PMOS管的尺寸为L = 0.250um，W = 1.125um。电源为2.5V，从0到2.5V扫描输入电压vin，观察输出电压vout，找到开关阈值；由图像可知开关阈值大约为：1.25V。仅修改PMOS管的W = 2.750um，找到此时的开关阈值；由图像可知开关阈值大约为：1.42V。恢复PMOS管尺寸W = 1.125um，电源分别为2.5V、1.5V、1V，观察和（50%到50%）；电源为2.5V：电源为1.5V：电源为1V：修改PMOS管的W = 0.750um，电源为2.5V，观察和（50%到50%）。四个反相器级联，所有的NMOS管的尺寸为L = 0.250um，W = 0.375um；所有的PMOS管的L = 0.250um；电源为2.5V。第一个反相器的PMOS管W = 1.125um，第二个反相器的PMOS管W = 1.875um，第三个反相器的PMOS管W = 3.000um，第四个反相器的PMOS管W = 5.250um；四个反相器的PMOS管均为W = 1.125um；四个反相器的PMOS管均为W = 1.875um；四个反相器的PMOS管均为W = 3.000um；实验结论随着工艺尺寸的减小，反相器的延时也随之变小。对比单个反相器和四个反相器级联的情况我们可以发现，输出电压跳变变得陡峭，其和也比单个反相器要长。同时可以看出，随着电压的下降，其和也随之增大。MOS晶体管的宽长比越大，延时越小，延时时间于电源电压成反比，反相器本征延时与反相器的尺寸无关，仅与版图和工艺相关。增大尺寸的同事会增大本征电容，在一定负载下，增大尺寸可以减小负载电容对延时的影响。
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