- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
光子晶体LED3
Photonic Crystal (PC)
• How to design PC Flip Chip LED
• PC process method
• Performance of PC LED
• Conclusion of the Experiment
• Future work(100 lm/W)
PC Flip Chip Structure
NaG-n
Ultra Super Bright Flip Chip G1 lA NaG-p lA
ITO PC process
B B
Sapphire PC process P-type N-type Si (P) P-type
um
1000um Bonding
position
Bonding m
position u
PC Process method
•405nm UV Laser Dot Exporsure
•High Resolution Photo-resist
•Dot Lithography Diameter can be Smaller than 100nm
Difference PC Process(ITOSapphire)
Positive Photo-resist (nano dot) Negitive Photo-resist (nano hole)
Nano dot Nano hole Compare(ITO film)
d
h
4.0 3200
Nano dot (d=1.5um,h=0.25um)
3.5 2800
3.0 2400 Nano hole(d=1.5um,h=0.25um
)
s
t
l 2.5 2000
o ITO Film (no PC process)
V
(
e
g 2.0
您可能关注的文档
最近下载
- 统编版高中语文选择性必修中册第二单元苦难与新生中国革命传统作品研习单元任务群(一)苦难与新生课件(共14张PPT).ppt VIP
- 100海上大型绞吸疏浚装备的自主研发与产业化.pdf VIP
- 电阻式传感器课件.pptx VIP
- 杭州市第三届景点景区讲解员服务技能大赛笔试题库.docx VIP
- JVC摄像机GR-DV5000AC用户手册.pdf
- 沙原隐泉 优秀剖析.ppt VIP
- 公文写作:决定.ppt VIP
- 增碳剂对球墨铸铁的孕育作用.pdf VIP
- 上汽通用别克-全新一代GL8-产品使用说明书-28T Avenir-SGM6522UAA3-2018年款别克全新一代GL8用户手册.pdf
- 杭州市第三届景点景区讲解员服务技能大赛笔试题库.pdf VIP
原创力文档


文档评论(0)