980+nm大功率半导体激光治疗仪的设计研究.pdfVIP

第33卷增刊 中 国 激光 V01．33，Suppl． 2006年3月 CHINESE LASERS March，2006 JOURNALOF 文章编号：0258—7025(2006)Supplement-0435—04 980 nm大功率半导体激光治疗仪的设计 单肖楠1’2，张 晶3，王立军’1 r1中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春1300331 I 2中国科学院研究生院，北京100039 3长春理工大学外语学院，吉林长春130022 nm 摘要设计了一种大功率半导体激光治疗仪的光路、电流源及保护电路和恒温控制单元。采用输出波长为980 的InGaAs大功率半导体激光器作为激光治疗仪的有效光源，用670nm半导体激光作为瞄准光束，对GaAlAs， InGaAs和Nd：YAG三种激光在医学上不同效果进行比较分析，仪器最大功率为3W，具有输出功率高、体积小、寿 命长等优点。在肿瘤、耳鼻喉科以及妇科方面都有很好的应用前景。 关键词 医用光学与生物技术；半导体激光器；恒流源电路；吸收能力 中图分类号TN249；R318．51文献标识码A of980nm Laser Semiconductor Design High-Power TherapeuticEquipment SHAN Xiao·nanl”，ZHANGJin93，WANGLi-junl 1 Institute Mechanicsand Chinese Scienc船， Changchunof0pt锄，Fine Physics，TheAcademyof Changchun，Jilin130022，China 2 GraduateSchooltheChinese 100039，China of AcademyofSciences，Beijing 3 Scienceand LanguageDepartment，Changchunof Technology，Changchun，Jilin130033，China Foreign University AbstractAkindofwhichincludes semiconductorlaser is beam sourceand high-power therapeuticequipmentdesignedpatIl，current circuitandconstant control and theeffectsofGaAlAs．InGaAsandNd：YAG protective temperatureunit．Bycomparinganalyzing semiconductorlaser with at980nmisusedas lasersinmedicine，InGaAshigh-power therapeuticequipmentoutputwavelength effectivesource·67