手机功放阻抗匹配器用CoFeB聚酰亚胺混合薄膜共面传输线插损的降低研究.pdfVIP

手机功放阻抗匹配器用CoFeB／聚酰亚胺混合 薄膜共面传输线插损的降低 马昌贵 (西南应用磁学研究所，四川绵阳621000) 1 前言 利用频率为o．8～2GHz的手机，在赋予摄相机、全球定位系统(GPS)等功能、机器 多功能化方面，已取得了重大进展，对电子器件的小型化、低高度要求日益近切。 这里研究的手机用高频功率放大器模块(以下简称“RF．PA”模块)有两种：将LC 等无源元件与半导体元件单片集成的MMIC，和将单个元件封装在多层布线基板上的HIC 模块。特别是欧洲用户的全球移动通信(GSM)系统用后种RF．PA模块，占了50％以上 的比例。为了把RF．PA模块的高频功率有效地供给发射天线，必须使用整合PA输出阻抗 (数Q)和天线输入阻抗(50Q～数百Q)的阻抗匹配电路。 由于入／4传输线具有独立的阻抗变换作用，如果能够做出大小实用的器件，与使用多 个L元件和c元件构成的阻抗匹配电路相比，可大幅减少元件个数。但是，使用氧化铝或 聚酰亚胺一类电介质的传输线，其波长缩短效应不明显，在手机用的o．8-、一2GHz频段工作 时，线路长达数十毫米以上，故用这种传输线几乎不能构成阻抗匹配电路。 在数字手机和GSM式手机功放用的LC匹配电路中，因需要传送数瓦级高功率，要 使L元件进一步小型化很困难。例如GSM式手机用的HIC．PA模块，利用直导体线型空 心电感器件作匹配电路的L元件。这种元件采用氧化铝多层布线基板上的厚膜布线，可导 体线长达10mm，这是制约PA模块小型化的最大瓶颈。在MMIC中，为了避免芯片尺寸 增大，采取了外加功率系无源元件等措施。 正如T．Sato等曾报导过的那样，用金属磁膜制作传输线路，可提高波长缩短的效果， 使入／4阻抗匹配器的尺寸大幅减小。但是，金属磁膜在高频下会产生大的损耗(涡流损耗， 磁共振损耗)，因而，进一步降低插入损耗(插损)，是需要研究的重要课题。 中山英俊等人采用具有GHz铁磁共振频率、饱和磁化强度和各向异性场都高的CoFeB 非晶合金磁膜，与铝导体膜和聚酰亚胺介质膜一起，试制出一种混合薄膜共面传输线，并 报告了它的诸特性，在GHz频段插损达3dB，因此，他们目前的工作是进一步降低插损。 本文介绍他们将CoFeB／聚酰亚胺混合薄膜传输线用作o．8～2GHz手机功放模块的入／4阻 抗匹配器，使插损降到o．5dB以内的措施。具体地说，就是检验给器件加上CoFeB非晶合 金磁膜对加工过程的影响，通过改变布线导体材料、器件结构及尺寸(导体线路用厚膜， 金属磁膜多层化，变更膜宽度)，预测降低插损的效果，以及器件的试制和性能评价。另 Q～ 外，用入／4线路作手机功放用阻抗匹配器，对功放的输出阻抗(数Q)和天线阻抗(50 数百Q)，必须确定线路的特性阻抗。不过，要针对功放和天线的各种特性一一进行讨论 很困难，因此，这里将线路的特性阻抗设定为数十欧姆。 2 CoFeB／聚酰亚胺混合薄膜传输线 图1示出器件的基本结构模型，它是采用CoFeB／聚酰亚胺介质膜叠层的5层薄膜平面 结构。针对他们原研制的这种器件，介绍就下列几项研究的结果。 (1)关于CoFeB磁膜对器件加工过程的影响并没有特别注意，不过，热处理存在着 使磁膜诸特性发生很大变化的可能性，这里，详细研究在器件加工过程中添加磁膜的诸项 特性。 (2)以抑制插损为目的，导体材料由原来的A1改为cu，讨论cu厚膜化的效果。此 外，检验CoFeB、Si02膜多层化及改变磁膜宽度，对降低插损的效果。 图l混合薄膜共面传输线的结构 图2溅射设备俯视图 3 CoFeB金属磁膜的基本特性和与Jjn-r过程的关系 3．1 CoFeB金属磁膜的沉积方法及其基本性能 CoFeB金属磁膜，使用图2给出的转盘式三靶同时射频磁控溅射设备成膜。用 输人功率，可以控制CoFeB膜中的Fe含量。制得的CoFeB磁膜，感生出基片转动方向变 为易磁化轴方向的单轴磁各向异性。 这次制备的膜Fe含量在7．4～66．0at％范围内，它们均为非晶结构，增大Fe含量，其 晶化温度降低，这可能会对器件加工中的热过程产生较深刻的影响。 3．2添加CoFeB金属磁膜的器件加工过程