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第33卷增刊 中 国 激光 V01．33，Suppl．
2006年3月 CHINESE 0FLASERS March，2006
JOURNAL
文章编号：0258-7025(2006)Supplement一0240—04
980
nm垂直外腔面发射激光器理论分析
单肖楠1’2，路国光1’2，何春凤1’2，秦莉1，晏长岭1，王立军1
，1中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林长春130033、
＼ 2中国科学院研究生院，北京100039 ，
摘要 am二极管抽运垂直外腔面发射
利用周期谐振增益结构设计了以InGaAs／GaAsP／A1GaAs为有源区的980
半导体激光器的材料结构。根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参量。优化了
激光器特征参量并设计了光抽运垂直外腔面发射激光器的器件结构。理论计算表明，激光二极管(LD)抽运的垂直
外腔面发射激光器的输出功率将大于1W。
关键词 激光技术}半导体激光器；垂直外腔面发射激光器；光抽运
中图分类号TN248．4文献标识码A
980nm SemiconductorVerticalExternal
OpticalPumped Cavity
Surface SemiconductorLaser
Emitting
SHAN
Xiao—nanl”，LU Lil，
Guo—guan91”，HEChun—fen91”，QIN
YAN
Chang-lin91．WANGLi—junl
1 Institute Mechanicsand
f ChangchunofOptics，Fine Physics， 1
TheChinese 130033，China
AcademyofSciences，Changchun，Jilin
2
GraduateSchooltheChinese 100039，China
of AcademyofSciences，Bering
980 vertical laser
AbstractUsingperiodresonancestructure。alaser nm external—cavitysurface-emitting
gain diode(LD)pumped
active of is characteristicsuchas
(VECSEL)withregionInGaAs／GaAsP／AlGaAssystemdeveloped．The parameterslongitudinal
confinementfactor．threshold and etc．arecalculatedtheoreticalmodel．W．ththe
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