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薄膜硅太阳电池及材料7．187．
H薄膜及其在
低温制备p-nc—Si．h
太阳电池中的应用．
李志刚1 曾湘波2 刁宏伟2叶晓军1陈鸣波1
廖显伯2李红波1郝国强1．
1上海空间电源研究所、上海200233
2中国科学院半导体研究所表面物理国家重点研究室北京 1000830
√
●
【摘要】 研究P型纳米硅薄膜材料带隙对硅基薄膜太阳电池性能的影响。采用等离子体
EnhancedChemical
增强化学气相沉积(Plasma Vapor
备P型纳米硅薄膜，p层材料结构和性能由透射谱和XRD表征。结果表明，
nm左右，150。C
50。C～100。C的温度范围内沉积的p层薄膜，晶粒尺寸都在16
时，晶粒尺寸较大，达24．9nm。温度为500C、700C时，p层薄膜带隙较宽，
为1．84
晶面过渡到(220)晶面生长，带隙变窄；150。C时，薄膜带隙为1．62eV，晶
粒在(220)晶面优先生长。将优化的P层应用于单结不锈钢衬底n-i—P电池，
实验室小面积电池效率为8．2％(AMl．5)。
【关键词】 P·nc·Si：H纳米硅n·i-P电池低温制备PECVD
FilmatLow andits
DepositingP-nc-Si：H Temperature
‘
inSolarCells
Application
～
-
Li Diao Ye
Zhigan91ZengXiangb02Hongwei2Xiaojun’
Chen LiaoXianb02U Hao
Mingbot Hongb01Guoqian91
1 Instituteof Power 200233
Shanghai Space sources，Shanghai
2
State forsurface Instituteof 100083
keyLaboratory phy-sics
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