浅析光纤与光缆技术8、9、10.pptVIP

(3)优缺点 优点：①生产效率高，其沉积速度是MCVD法的10倍； ②光纤预制棒的尺寸不受母棒限制，尺寸可以做得很大，生产 出的大型预制棒可重达2～3Kg，甚至更重，可拉制100 ～ 200Km或更长的光纤； ③不需要高质量的石英管作套管； ④全部预制棒材料均由沉积工艺生成，棒芯层中OH-的含量很 低，可低于0.01PPm； ⑤由于沉积是中心对称，光纤几何尺寸精度非常高，易制成损 减少，强度高的光纤产品； ⑥可进行大规模生产，生产成本低。 缺点：采用氧化铝陶瓷或高纯石墨作靶棒，在抽去靶棒时，将引起预 制棒中心层折射率分布紊乱，而导致光纤传输性能的降低。 * 3、轴向化学气相沉积法(VAD) 轴向气相沉积法，简称VAD法。于1977年，由日本电报电话(NTT Lab)公司茨城电气通信研究所的伊泽立男等人发明。VAD法的反应机理与OVD法相同，也是由火焰水解生成氧化物玻璃。 * (1)系统组成 轴向气相沉积法工艺示意图 * 与OVD法有两个主要区别： 1)靶棒沉积方向是垂直的，氧化物玻璃沉积在靶棒的下端； 2)芯层和包层玻璃同时沉积在靶棒上，预制棒折射率剖面分 布型式是通过沉积部位的温度分布、氢氧火焰的位置和角 度、原料饱和蒸气的气流密度的控制等多因素来实现的。从工艺原理上而言，VAD法沉积形成的预制棒多孔母材向上提升即可实现脱水、烧结，甚至进而直接接拉丝成纤工序，所以这种工艺的连续光纤制造长度可以不受限制，这也是此工艺潜能所在。 * (2)工艺流程 VAD法光纤预制棒的制备工艺同样有二个工序：沉积和烧结。且二个工序是在同一设备中不同空间同时完成。 1)沉积工序 首先将一根靶棒垂直放置在反应炉上方的夹具上，并旋转靶棒底端面接受沉积的部位，用高纯氧载气将形成的玻璃卤化物(SiCl4，GeCl4)饱和蒸气带至氢氧喷灯和喷嘴入口，在高温火焰中水解反应，生产玻璃氧化物粉尘SiO2-GeO2和SiO2，并沉积在边旋转边提升的靶棒底部内、外表面上，随着靶棒端部沉积层的逐步形成，旋转的靶棒应不断向上提升，使沉积面始终处于同一个位置。最终沉积生成具有一定机械强度和孔隙率圆柱形的多孔预制棒。 * 整个反应必须在反应炉中进行，通过保持排气的恒速来保证氢氧焰的稳定。为获得所设计的不同芯层和包层的折射率分布，可以通过合理设计氢氧喷灯的结构、喷灯与靶棒的距离、沉积温度和同时使用几个喷灯等措施来实现。 例如，在制作单模光纤预制棒时，由于包层很厚 (2a=8.3～9.6um，2b=125um)，可以用三个喷灯火焰同时沉积，一个火焰用于沉积芯层，另外二个用于沉积包层。在芯层喷灯喷嘴处通入SiCl4、GeCl4，水解生成SiO2-GeO2玻璃粉尘，而在包层喷灯喷嘴处只通入SiCl4，水解生成SiO2玻璃粉尘，并使它们沉积在相应的部位，这样可得到满足折射率要求的光纤预制棒。 * 2)烧结工序： 随着沉积的结束，多孔预制棒沿垂直方向提升到反应炉的上部石墨环状加热炉中，充入氯气Cl2，氢气H2，以及氯化亚砜(SOCl2)进行脱水处理并烧结成透明的玻璃光纤预制棒。 * (3) VAD法的工艺特点： ①依靠大量的载气送化学试剂的气体通过氢氧火焰，大幅度的提高氧 化物粉尘(SiO2，SiO2-GeO2)的沉积速度。它的沉积速度是MCVD法 的10倍； ②一次性形成纤芯层和沉积包层的粉尘棒，然后对粉尘棒分段熔融， 并通入氢气、氯气以及氯化亚砜进行脱水处理并烧结成透明的预制 棒。工序紧凑，简洁，且潜在发展很大； ③对制备预制棒所需的环境洁净度要求高，适于大批量生产，一根棒 可拉数百公里的连续光纤； ④可制备多模光纤，单模光纤且折射率分布截面上无MCVD法中的中 心凹陷，克服了MCVD法对光纤带宽的限制。 ⑤此工艺程序多，氢氧喷灯采用的多，3～8个，对产品的总成品率有 一定的影响，成本是OVD法的1.6倍。 * 4、等离子体化学气相沉积法 微波等离子体化学气相沉积法，简称为PCVD法，1975年，由荷兰菲利浦公司的Koenings先生研究发明。 PCVD法与MCVD法工艺十分相似，都是采用管内气相沉积工艺和氧化反应，所用原料相同，不同之处在于反应机理的差别。PCVD法的反应机理是将MCVD法中的氢氧火焰加热源改为微波腔体加热源。将数百瓦～千瓦级的微波（f＝2450MHz）功率送入微波谐振腔中，使微波谐振腔中石英包皮管内的低压气体