SiO2SiNz叠层钝化晶体硅太阳能电池的研讨.pdfVIP

．162． 第十届中国太阳能光伏会议论文集 Si i 02／SNx叠层钝化晶体硅太阳能电池的研究 董经兵1t胡宇2顾生刚1王栩生1王景宵1 (1林洋新能源有限公司江苏省启东市2262630513 2上海交通大学太阳能研究所上海200240) 摘 要 为了减少硅片表面的悬挂键、降低表面复合速度，本文研究了在晶体硅衬底上低温热生长Si02薄层的钝化效 增强了对硅片的钝化以及光陷作用。最后通过合适的工艺条件，做出了适合工业化大规模生产的叠层钝化电 池，电池分析表明，电池的短波响应明显提高，短路电流有近4％，同时开压也有约l％的提高，有效的提高了 晶体硅太阳能电池的转换效率近3％。 关键词 叠层钝化 ’。●‘●●- I刖 昌 目前，晶体硅是太阳能电池的主要材料，由于晶体硅片表面存在大量的悬挂键以及体内存在的点缺陷等， 严重的影响了太阳能电池的效率。因而，为了降低硅片表面的复合速率，提高电池的效率，有必要对硅片的表 面采取必要的钝化措施【l】o常见的表面钝化方式有PECVD SiNx减反射膜对硅片的表面和体内都有一定的钝化作用，而 及叠层钝化【6】等钝化方法。我们知道PECVD 热生长的Si02由于其良好的致密性，具有更好的表面钝化作用。由于短波长的光在电池的上表面很小的薄层 内有很大的吸收，因此为了更好的降低电池的上表面复合速率，提高电池的短波相应，同时结合热生长Si02 的表面钝化特性以及PECVD 叠层的钝化结构，对晶体硅太阳能电池进行了有效的表面钝化和体钝化，有效的提高了太阳能电池的短路电流 和开路电压。进而提高了太阳能电池的转换效率。 2实 验 太阳能电池正常生产所需设备。工艺流程如下： 为了有效的测量其钝化效果，我们采用的是双面扩散、双面氧化的方式。氧化采用的是低温热氧化的方式， 同时为了达到良好的减反射以及钝化效果，研究了Si02／SiNx叠层的钝化效果以及减反射效果，最后对叠层钝 ‘通讯作者：董经兵，男，研发工程师。E-mail．．mainbomb@163．0．0111 ￡体硅太阳自池及材抖 163 3结果及讨论 31氧化屡的钝化效果与扩散方阻的研究 将不同扩散方阻的片子，按照上面的方式进行氧化，氧化前后其少子寿命如图1下所示 围I氧化目的钝化虹军与扩散方日之问的关系 通过图1我们得出如下结论：I随着扩散方阻的提高，氧化层的钝化效果更加明显，显然随着方阻的提 高，扩散层的表面淮度降低，因而，氧化层更能有效的降低硅片表面的悬挂键，起到钝化的作用；2氧化过程 中通^TCA对氧化层的钝化效果基本上没有影响。 3．2Si02／SiNx叠层钝化效果的研究 对氧化后的片子进行PECVDSiNx沉积，随着PECVD沉积时间的不同片子的少子寿命基本投有变化，说 PECVD和mmmePECVD对少子寿命的影响．如图2和图3所示。 ：}F恧园 ： 4邕掣_，， 帅[ ’-，一tt l多一一一一一一 99C．．．．^．，。．J。．．．．‘．．。．J．—．—．。．．．．L．．．．1．．。～ 豳2经i同处理过程后少子寿命变化 里3板P和管P对钝化效果对№ 于PECVD镀膜的过程中对Si02的表面造成损伤导致的，i_eilaOte ．164． 第十届中国太阳能光伏会议论文集 化效果可以说明这一点。 3．3叠层钝化电池电性能参数分析 叠层钝化后，晶体硅太阳能电池的电性能有了明显的提高，尤其是短路电流有了较大的提高，Isc有3．6％ 的提高，同时开压也有约1％的提高，最终太阳能电池的效率近3％的提高。图4的光谱响应证明了电池的短波 响应得到了较大的改善。 8ce尘∞E 波长(nm)