第4章 光电导器件 4.2节.pptVIP

4.2 光敏电阻的基本特性 1.光电特性 ?电导 g = I/U 单位为西门子S（Ω-1）。 暗电导gd——光敏电阻在黑暗的室温条件下，由于热激发 产生的载流子使它具有的电导。 光电导gp——有光照射在光敏电阻上时的电导。 gp= Sg E 或 gp= SgΦ 若考虑暗电导产生的电流时，则流过光敏电阻的电流为 I = Ip + ID = gpU + gdU = gU = SgEU + gdU = ( SgE + gd )U 式中，Ip为光电流，Id为暗电流；gd为暗电导，gp光电导。 在恒定电压的作用下，流过光敏电阻的光电流Ip为 (4-1) 光电特性可用在“恒定电压”下流过光敏电阻的电流， 与作用到光敏电阻上的光照度的关系来描述。 当照度很低时，曲线近似为线性；随照度的增高，线性 关系变坏，当照度变得很高时，曲线近似为抛物线形。 ★光电转换因子γ——随光度量变化的指数伽玛 在弱辐射作用的情况下，γ=1，随着入射辐射的增强，γ 值减小，当入射辐射很强时，γ值降低到0.5。 （4-2） γ值为对数坐标下特性曲线的斜率。即 （4-3） 式中，R1与R2分别是照度为E1和E2时光敏电阻的阻值。 光敏电阻的γ值反映了在照度范围变化不大或照度的绝对 值较大，甚至光敏电阻接近饱和情况下的阻值与照度的关系。 ?注意：定义光敏电阻γ值是必须说明其照度范围，否则γ 值没有任何意义。 2.伏安特性 在设计光敏电阻变换电路时，应使光敏电阻的工作电压 或电流控制在额定功耗之内。 3.温度特性 温度变化大的情况 下，应采取制冷措施。 降低或控制光敏电阻的 工作温度是提高其工作 稳定性的关键。 4.时间响应 当用一个理想方波脉冲辐射照射光敏电阻时，光生电子 要有产生的过程，光生电导率Δσ要经过一定的时间才能达 到稳定。当停止辐射时，光生载流子复合也需要时间，表现 出光敏电阻具有较大的惯性。 光敏电阻的惯性与入射辐射信号的强弱有关。 (1)弱辐射作用情况下的时间响应 当微弱入射辐射通量Φe 作用于光敏电阻时，设入射辐 射通量Φe(t)为可用下式表示的光脉冲 对于本征光电导器件在非平衡状态下光电导率Δσ和光 电流IΦ 随时间变化的规律为 (4-4) (4-5) 式中，Δσ0与IΦe0 分别为弱辐射作用下光电导率和光电流的 稳态值。t ＞＞τr 时，Δσ = Δσ0，IΦ = IΦe0 ；当 t =τr时， Δσ = 0.63Δσ0，IΦ = 0.63 IΦe0。 光敏电阻的上升时间常数τr —— 光敏电阻的光电流上 升到稳态值IΦe0 的63%所需要的时间。 停止辐射时，入射辐射通量Φe与时间的关系为 光电导率和光电流随时间变化的规律为 （4-6） （4-7） 当t =τf时，Δσ= 0.37Δσ0，IΦ = 0.37 IΦe0；当t ＞＞τf时， Δσ与IΦ下降为0。 在辐射停止后，光敏电阻的光电流下降到稳态值的37% 所需要的时间称为光敏电阻的下降时间常数，记为τf。 光敏电阻在弱辐射作用下，τr ≈τf 。 (2)强辐射作用情况下的时间响应 当较强的辐射通量Φe作用于光敏电阻上时，设入射辐射 为方波脉冲 光敏电阻的光电导率变化规律为 (4-8) 其光电流的变化规律为 (4-9) 强辐射作用下的上升时间常数τr——光敏电阻的光电流 上升到稳态值IΦe0的76%所需要的时间。 当t ＞＞τr时，IΦ = IΦe0 ，Δσ =Δσ0 ；当t =τr时， IΦ = 0.76 IΦe0， Δσ= 0.76Δσ0。 停止辐射时光电导率和光电流的变化规律可表示为 （4-10） （4-11） 当t =τf时，IΦ = 0.5 IΦe0 ，Δσ = 0.5Δσ0；当 t ＞＞τf时， Δσ与IΦ下降为0。光敏电阻的光电流下降到稳态值的50%所 需要的时间称为光