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1、空穴的浓度比电子的浓度大得多 2、费米能级的位置处于靠近价带的地方，甚至处于价带中。 受主电离能：?EA=EA-Ev,通常也很小。 当受主杂质浓度少时，杂质之间的相互作用可以忽略，杂质能级是一些能量相同的孤立能级。当浓度高时，他们之间的相互作用就不能忽略，会产生杂质能带，参与导电。 受主能级位于离价带顶很近的禁带中。 p型半导体中的多数载流子是空穴。 p型半导体中的少数载流子是电子。 p型半导体的能带示意图 E0 Ev Ec Ef E 理论状态下 简单的能带示意图 思考题 1 电荷转移方向的判断 不同掺杂浓度的能带图 不同掺杂引起的载流子浓度的变化，多数载流子种类的改变，以及费米能级位置的变化。 禁带变窄效应 掺杂量很大 (重掺杂)时，杂质能级扩展为杂质能带，将使杂质电离能减少，并且杂质能带进入导带或价带，与导带或价带相连，形成了新的简并能带，使能带的状态密度发生了变化，导致禁带宽度变窄。简并能带的尾部伸入到禁带中，称为带尾。 不同C掺杂量TiO2的能带图 半导体物理基础(II) 半导体的表面与界面: 1、半导体与金属的接触 2、半导体表面态和表面电场效应 3、半导体界面（pn结和异质结能带结构） 思考题： 3、什么是功函，如何测量材料的功函？ 4、什么是表面态，如何确定表面态的位置和属性？ 5、如何确定异质结的能带图？ 例如：根据表中的数据画出异质结构材料的能带图，并说明分别在380nm和470nm光照射下，光生电荷转移的方向。 5.02 2.86 0.29 2.57 Bi2O3 5.18 2.34 -0.84 3.18 TiO2 W (eV) Ev (eV) Ec (eV) Eg (eV) Semiconductor 半导体与金属的接触 功函数：将真空能级(E0)与费米能级(Ef)之间的能量差定义为功函，用W来表示。 W=E0-Ef 金属的数功函 半导体的数功函 Wm (Ef)m Ws χ (Ef)s E0 电子亲合势：半导体导带中的电子逸出体外所需要的最小能量。 χ ＝E0-Ec 电子结合能：半导体电子逸出体外所需要的能量。 最小结合能 ?=E0-Ev ? 对于功函的理解： 功函数可以直接体现半导体中电子的填充水平，相对于费米能级而言，则缺乏统一真空能级的概念。 功函与费米能级的关系： 功函数大的材料，其费米能级的位置低；功函数小的材料，其费米能级位置高。 功函与掺杂浓度的关系： 功函数随掺杂浓度而变化，对于同质材料，n型掺杂导致功函数减小，掺杂浓度越大，功函数越小；p型掺杂导致功函数增大，掺杂浓度越大，功函数越大。 接触电势差 金属与n型半导体的接触 接触电势差：当金属与半导体相接触，由于它们的功函不同导致接触后它们的电势发生了变化，它们之间的电势差补偿了原来费米能级的差，把这个由于接触而产生的电势差称为接触电势差，通常用VD来表示。 VD=(Ws-Wm)/q 势垒高度：在金属与半导体接触时，电子从半导体导带转移到金属，或者电子从金属转移到半导体导带中所要克服的能垒，这个能垒就称为势垒或势垒高度。 半导体一侧的势垒高度为 qVD=Wm-Ws 金属一侧的势垒高度为 qΦ=Wm-χ E0 Ev Ec Ef qVD qΦ 势垒高度 在半导体器件中（特别是肖特基型器件），所提到的势垒高度大多指的是金属一侧的势垒高度，也就是qΦ。 功函的测量 最常用的方法是Kelvin 探针技术，但是该技术对表面特别敏感，要准确测量材料的功函十分困难，要在超高真空下进行。由于表面势垒不可避免，通常要考虑表面势垒对功函的影响，测量得到的大多为表面功函。 势垒高度的测量方法 电流－电压法 激活能法 电流－电容法 光电法 光电法是测量势垒高度的精密而直接的方法。 Kelvin探针测量原理和装置 Evac Ws=W测-WAu 思考题3 3.9 eV 金（5.1eV）作为参比 CPD=-(W测-WAu)/e 测量ZnO和Cu2O的功函 WZnO= 0.17+5.1 = 5.27 eV WCu2O= -0.02+5.1 = 5.08 eV 数值上：W测=CPD+WAu 势垒高度测量装置和原理 Vs 光诱导Kelvin探针技术 Vs0 Vs* VD=-Vs = Vs0-Vs* 表面功函与体相功函的关系: 对于n型半导体表面功函大于体相功函，相差数值为表面势垒高度 对于p型半导体表面功函小于体相功函，相差数值为表面势垒高度 E0 Ev Ec Ef E0 Ev Ec Ef E n