薄膜材料与技术-7 课件.pdf

薄膜材料与技术 （7 ） 李美成 2006秋季学期 1 1 第七章化学气相沉积 7.1 化学气相沉积的基本原理 7.2 化学气相沉积的特点 7.3 CVD方法简介 7.4 低压化学气相沉积 7.5 等离子体化学气相沉积 7.6 金属有机化学气相沉积 薄膜材料与技术 薄膜材料与技术 2 2 化学气相沉积是一种化学气相生长法，简称 CVD （Chemical Vapor Deposition ）技术。 这种方法是把含有构成薄膜元素的一种或几种 化合物的单质气体供给基片，利用加热、等离 子体、紫外光乃至激光等能源，借助气相作用 或在基片表面的化学反应 （热分解或化学合 成）生成要求的薄膜。 这种化学制膜方法完全不同于物理气相沉积法 （PVD ），后者是利用蒸镀材料或溅射材料来 制备薄膜的。最近也出现了兼备化学气相沉积 和物理气相沉积特性的薄膜制备方法，如等离 子体气相沉积法等。 薄膜材料与技术 薄膜材料与技术 3 3 由于CVD法是一种化学反应方法，所以可制备 多种物质薄膜，如各种单晶、多晶或非晶态无 机薄膜，在以LSI为中心的薄膜微电子学领域起 着重要作用。特别是近年来采用CVD法研制出 金刚石薄膜、高Tc超导薄膜、透明导电薄膜以 及某些敏感功能薄膜。 由于CVD法是利用各种气体反应来组成薄膜， 可任意控制薄膜组成。CVD法制膜，其生长温 度显著低于薄膜组成物质的熔点，所得膜层均 匀性好，具有台阶覆盖性能，适宜于复杂形状 的基片。其沉积速率高，膜层针孔少，纯度 高、致密，形成晶体的缺陷较少。 。 薄膜材料与技术 薄膜材料与技术 4 4 CVD技术可按照沉积温度、反应器内的压力、 反应器壁的温度和沉积反应的激活方式分类。 （1）按沉积温度，可分为低温（200∼500℃）、 中温（500 ∼ 1000℃）和高温（1000 ∼ 1300℃）CVD； （2 ）按反应器内的压力，可分为常压和低压； （3 ）按反应器壁的温度，可分为热壁方式和冷壁 方式CVD； （4 ）按反应激活方式，可分为热激活和等离子体 激活CVD等。 薄膜材料与技术 薄膜材料与技术 5