活化元素Ni的添加对MoCu合金性能的影响研究.pdfVIP

活化元素Ni的添加对Mo．Cu合金性能的影响 李增峰汤慧萍 刘海彦 黄愿平 (西北有色金属研究院粉末冶金) 摘要：本文采用机械活化制粉，低温烧结、熔渗、致密化处理。制取了添加不同Ni含量的 为Mo--Cu合金在电子封接材料中的应用奠定基础。 关键词：活化元素；Ni；低温烧结；致密化；膨胀系数；导热系数；电阻率 1、前言 是随着器件功能的强化，器件小型化和功率的增大，对材料的高性能要求和散热性能要求愈来愈高。 Mo-Cu合金具有高导电性、高导热率和定膨胀系数，以及适当的机械强度和较高使用温度，被作为 电子封接材料应用得到广泛研究。 俄罗斯在大功率微波管上应用MO—Cu合金已获得成功，目前已广泛应用。国内也进行部分研 究。为了获得均匀的网络结构组织，采用粉末烧结工艺。但为了防止高温致密化烧结使钼晶粒粗大、 低熔点Cu的损失，降低气孔率，普遍添加活化烧结元素，采用低温致密化烧结。俄罗斯典型牌号 aB 为C‘玎J1 M且I SHn。镍含量为2．6％。 作为封接材料，需要获得高的气密性和强度，封接金属合金必须具有和陶瓷相近的膨胀系数和 一定的塑性。封接的两种材料的膨胀系数相差愈大，封接金属的塑性愈差，则封接面附近的应力越 大。瓷封件也容易炸裂，因此相近的膨胀系数和一定的塑性是电子器件封接材料的关键参数。 用在大功率电子管、微波管等器件的封接材料，必须有高电导热导性能电子封接材料，作为导 电散热元件。但活化元素Ni的添加，将是Mo．Cu合金导电导热性降低，关于导电导热性能研究和 数据报道很少。本文主要阐述了采用机械活化制粉，通过活化元素Ni的添加对Mo—Cu合金封接材 料性能的影响。 2、 实验方法 适量的羰基Ni粉，在高能球磨机中制取超细活化粉末；在H2气炉中低温还原；在适当的压力下压 制成相对密度为65～70％的压坯；将压坯放在通干燥H2的Mo丝炉中烧结，在较低的温度下保温1～ Mo—Cu—Ni合金材料，测试了密度、电阻率、导热系数、膨胀系数等。 3、 结果分析 3．1活化元素的添加Ni的添加对Mo．Cu合金烧结致密化的影响 活化处理，压制烧结后，测试密度如表1所示。 对于铜含量小于15％的Mo．Cu合金，添加不小于1％的活化元素Ni，可选择在较低的烧结温 度下，获得致密化较高的烧结产品(原料经高能活化处理)。而在选择的相同温度下，其它成分不变， 不加活化元素的Mo-Cu合金其相对密度最高为88％(原料经同样高能活化处理)。说明添加少量活 才能显著活化烧结致密化。但合金原料通过高能活化处理后，可添加较少的Ni含量，在选择的较低 温度下，获得同样致密化的产品。 表1不同Ni含量对Mo．1$Cu合金致密化的影响 3．2活化元素Ni的添加对材料的热膨胀系数的影响 度的变化不呈线性关系，如图1所示，在镍含量小于1．5％以下，先是线性增加，在某一温度后开始 有小量的快速下降，之后平缓上升，当温度再升到某一较高温度时，快速升到原来的线性关系上。 Ni含量大于1．5％，热膨胀系数随着温度的变化基本呈线性关系。 在1．5％以下Ni含量的Mo．Cu合金中，不同Ni含量，热膨胀系数的温度变化曲线不再呈线性 之后缓慢升到6．3x10。6／℃，但膨胀系数的变化，在不同的Ni添加量下，合金的热膨胀系数变化很小， 可以说膨胀系数相当稳定，并和95A1203陶瓷相近。适用于制造军用大功率微电子器件中作为热封 接材料与A1203陶瓷封接和结构材料用Mo．Cu合金，也适用于制造民用大功率微电子器件封接热沉 用Mo—Cu合金。 图1 20～7∞℃下，添加不同Ni含量Mo-Cu合金膨胀系数的变化曲线 3．3活化元素Ni的添加对材料的导热系数影响 活化元素Ni的添加Mo—Cu合金的总的导热系数是降低的。如表2所示。但随着温度的升高， 导热系数变化较小，而不加Ni的Mo．15Cu随着温度的升高，变化相对较大。 对于金属合金，导热除电子导热外，晶格导热也起一定的作用。合金元素的添加，一方面由于 热运动，添加的外来原子造成晶格弹性畸变和位错、晶粒间界等引起晶格缺陷增大。电子的运动将 受的阻碍增大。另一方面晶格波的非谐振和晶格缺陷增多，晶格的平均自由程限制增大。合金的导 热性能减低。在镍含量小于l％时，随着温度的升高，导热系数和不加Ni的Mo．Cu合金基本相同， 降低的趋势较大；在1％以上，降低的趋势较小。但与不加Ni