微型MEMS高频开关技术研究.pdfVIP

‘ t . 微型MEMS高频开关技术 ‘ t 、 郭方敏赖宗声初建朋 华东师范大学理_!:学院电子科学系 200062 ， 沪 ， 乙 ‘ 护 摘要 ， 乡 r 、 一种表面徽机械微型开关制作在硅、石英玻璃或半绝缘 GaAs衬底上。它采用悬挂的 盖 SiON,微型梁作为悬臂。铂一金接触，静电受滋作为开关机理。这种开关被设计为:运行从 直流到高频 (4GIIz左右)。应具有高 (-40dB)的电隔离和低 (0.2dB)的插入损耗。加工 温度不超过2500C.确保开关具有微波、毫米波单片集成能力。 关.润:任招离绷开关、.份梁、擂入报耗、月离应 一、派迷 ， 卜 t 低插损、高隔离和宽频带的高频性能使得MEMS开关在可组装天线和集成电路应用中成 、 ‘ / 为最具吸引力的器件，它可)’一泛应用于微波、毫米波集成电路，作为无线电通讯中的信号 路径，阻抗匹配网络和可调放人器等用途。这种新T}d技术不同于化合物固态有源开关，它 们弓被证明比固态有源开关FET和一极管具有更好的高频特性。虽然当前高灵敏度滤波器 、 和相一阵天线设计采}Il工11-V族化合物基底FET电路和PIN 极管器件完成开关操作，而这 、 些固态开关在信号频率人于GIIz时，“开”态具有一个大的插入损耗(在Ku带1dB到40--45GHz 甘 的儿分贝)，在 “关”态具有较差的电隔离 (典型值差于一DO)，一些较好的器件的价格也 保持在相对高的价位。而在微加 「微机械领域 (MEMS)中，许多新的进展已经证明微波开 关[(1-41具有小于0.2dB的插入损坏，而I一作频率覆盖整个45GHz的带宽范围。它的价格比目 前的GaAs基FET开关降低近 100倍.值得注意的是取代11卜V族FET和二极管不是上述_〔 ， 作的唯一动机，随着轶个新体系机构的发展，MEMS还具有加宽频带等一些其它方面的优点， 、 ， 它的发展可以推动微波元件和系统进入市场化。 . 绝大多数高频MEMS开关采用旋转的、悬浮的或隔膜结构，然而用于无线通信的开关 要求在高频带中 “开”、“关”态阻抗之间具有大的动态范围。依次耍求在 “开”态具有最 小的电接触电阻，“关”态时具有低的寄生祸合电容。在本文中我们描述一种应用于无线通 、 甘 信的悬臂式MEMS高频微型开关，它可以支持GHz量级的信号频率，在 “开”态保持最小的 、 刁 ， 插入损耗，而同时在 “关”态具有极好的电隔离。我们还介绍MEWS高频微型开关的工作原 J ， J 理、设计、制造及其初步结果。 勺 ， 二 开关设计 上电极 丁’ 1_作原理: 润 「电极 (地线) ‘ ， ‘ l 信号线 l J l l J 翻 盆 ‘ 尸 ; 墓底 王 . 、 a.“关”态一开关打开 b、“开”态一开关闭合 、 图1.MEMS悬浮臂高颇微型开关在a“关”态、b“开”态剖面示意图 . 、 ， ~ ，本裸月由口东rrs项目(GM0a3LOs)、上海AM羞金 (se年度)、高校博士专项若全Q; 年生)和.东.翻科， ‘* (I6im12)，肠。 |