庞磁电阻材料的研究.docVIP

庞磁电阻材料的研究 摘要：近年来GMR和TMR在物理、材料和器件研究方面取得很大成绩，但也有不足之处，即磁电阻效应不大。钙钛矿结构的锰氧化物具有接近100%的自旋极化率，在铁磁居里温度附近表现出巨大磁电阻效应，即庞磁电阻效应（几特斯拉场强下可达108%）而引起了广泛的关注。正是由于磁存储产业对更敏感和具有更快响应速度的磁探测器的需求和这一系统在其中的应用前景，锰氧化物及其CMR效应成了人们研究的焦点。 关键词：庞磁电阻材料，CMR,锰氧化物 庞磁电阻效应的研究意义 磁电阻效应是指材料在磁场作用下电阻发生变化的现象。对于普通金属，电子的自旋是简并的，所以不存在净的磁矩，费米面自旋向上和自旋向下的电子态完全一样，因而输运过程中电子流是自旋非极化的，在磁场作用下金属电阻改变很小。不过，对于铁磁过度金属来说，交换作用能与动能的平衡使系统不同自旋的子带发生交换劈裂，自旋向上的子带发生相对位移，引起自发磁化。这样，电子具有电荷同时具有自旋磁矩。 近年来GMR和TMR在物理、材料和器件研究方面取得很大成绩，但也有不足之处，即磁电阻效应不大。钙钛矿结构的锰氧化物具有接近100%的自旋极化率，在铁磁居里温度附近表现出巨大磁电阻效应，即庞磁电阻效应（几特斯拉场强下可达108%）而引起了广泛的关注。正是由于磁存储产业对更敏感和具有更快响应速度的磁探测器的需求和这一系统在其中的应用前景，锰氧化物及其CMR效应成了人们研究的焦点。为了揭示产生CMR效应丰富的物理机制和内涵，为了大大地提高存储器的容量以满足人们日常生活中对存储器更高的要求，从而引起计算机存储器方面的革命，科技工作者从上个世纪90年代开始就对庞磁电阻、巨磁电阻效应展开了铺天盖地的研究，并取得一些成绩，但是在室温庞磁电阻效应研究方面进展并不大。寻找低场室温的庞磁电阻材料体系又成了材料科技工作者新的研究热点。 在过去的20年中，随着金属多层膜和颗粒膜中巨磁电阻（GMR）及稀有氧化物中庞磁电阻（CMR）的发现和磁电阻材料制备技术的提高，以研究、利用和控制自旋极化的电子输运过程为核心的磁电子学得到很大发展。磁电阻材料构成的磁电子学器件在信息存储、磁传感器、自旋开关以及磁电子学等方面具有巨大的应用前景，对它的研究近年来已经成为物理学和材料学的一个新兴的前沿领域。 庞磁电阻材料的发展及现状 1.庞磁电阻材料的发展 关于稀土锰氧化物体系的研究可追朔到20世纪中叶，当时人们主要研究它的晶体结构和磁学性质等，对输运性质也做了一定的研究，并观察到了磁电阻效应，但当时人们感兴趣的是超交换作用支配的具有高电阻率的氧化物铁磁体。80年代末期，磁和非磁金属多层膜的巨太的磁电阻效应的发现，为磁电阻效应在磁记录和磁传感等方面的应用展现了广阔的前景。研究具有较大磁电阻效应的材料成为当前磁学和材料科学的研究热点之一。1989年，Kuster等人在研究与高温超导体材料相似的钙钛矿结构的锰氧化物Nd-Pb-Mn-0的输运性质时，发现了高达60％的巨大的磁电阻变化，并认为这种巨磁电阻变化是由磁极化子所引起的。但是，这一结果没有受到足够的重视。直到1993年，Helmolt等人在La-Ba-Mn-O薄膜中观察到了高达几个数量级的磁电阻效应，便引起了人们的重视， 因此有关这类钙钛矿锰氧化物体系的研究又重新拉开了帷幕。随后，1994年Jin等人采用脉冲激光沉积的La-Ca-Mn-O薄膜在6T下l10 K时观察到了99.9% 磁电阻效应。后来Xiong等和Barratt等人在Nd-Sr-Mo-O薄膜和Pr–Ca-Mn-O单晶中均发现了这种巨磁电阻效应。由于锰氧化物的磁电阻值比一般材料中的大得多，所人们将这种材料中的磁电阻效应称为超大{巨} 磁电阻效应(CMR)。最初，Zener用双交换(DE)模型定性地解释了锰氧化物的巨磁电阻的起源。 在迄今已发现的表现出次电阻效应的材料中，具有ABO3型钙钛矿结构的稀土锰氧化物是磁电阻效应最为显著的一类。然而，其单晶、块体或外延薄膜材料的磁电阻通常需要工作于高达几个特斯拉的磁场下，而且使用温度一般低于室温，呈现磁电阻效应的温度区域也往往很窄，这就严重限制了实用性。因此，减小磁场量级和增加可操作的温度成为研究的焦点。一方面，通过基础物理学的方法实现低场化，如采用磁场放大的方法或自旋阀技术可使外加磁场降低。另一方面，由于电阻、磁结构、晶体结构之间存在密切的关系，使得利用结构和工艺实现低场化成为可能，例如制备纳米颗粒膜或合成特殊结构缺陷的磁电阻材料。最近，以稀土锰氧化物纳米多晶体系为基体，引入第二相材料，如绝缘性氧化物、铁氧体磁性材料以及异质或不同颗粒尺寸的同质材料能在低场下获得可观的磁电阻效应。例如，La2/3Ca1/2MnO3/Pr2/3Ca1/3MnO3超晶格体系在50mT下，MR可达55%（219K）