原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
忆阻逾渗导电模型中的初态影响.PDF
See discussions, stats, and author profiles for this publication at: /publication/272354031
Effects of pristine state on conductive
percolation model of memristor
Article in cta Physica Sinica -Chinese Edition- · May 2013
DOI: 10.7498/aps.62.096401
CIT TIONS RE DS
6 28
1 author:
Zhiwei Li
National University of Defense Technology
5 PUBLIC TIONS 10 CIT TIONS
SEE PROFILE
ll content following this page was uploaded by Zhiwei Li on 17 February 2015.
The user has requested enhancement of the downloaded file.
物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 9 (2013) 096401
忆阻逾渗导电模型中的初态影响*
†
李智炜 刘海军 徐欣
( 国防科学与技术大学电子科学与工程学院, 长沙 410073 )
( 2012 年12 月5 日收到; 2013 年1 月6 日收到修改稿)
逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一, 但现有模型缺乏对初态设定的讨论. 本文对逾渗
网格模型进行了简化, 并基于此, 通过电压激励步进的方式, 研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通
道形成的影响, 分析了形成通道的动态过程以及相应的物理意义, 验证了忆阻开关元件高低阻态的阻值实际表现为
高斯分布而非理想双值稳态; 而不同初态条件下, 忆阻开关元件导电通道的形状存在着不同的“树形” 结构, 进而影
响着其阻值的分布. 研究成果有助于进一步揭示忆阻器尚未明确的导电机理, 为今后对具体不同类型的忆阻元件的
初态分析提供指导性作用.
关键词: 忆阻器, 开关元件, 逾渗模型, 初态分析
PACS: 64.60.ah, 85.35.−p, 89.20.Ff, 84.37.+q DOI: 10.7498/aps.62.096401
17
初态设定的讨论; Prodromakis 等 则进一步利用
5
1 引言 该逾渗模型去解释惠普实验室的离子迁移模型 ,
并讨论了稳态时候导电通道的个数和路径形状等
随着微纳电子技术的发展, 人们发现一些有着 方面对开关阻值比的影响, 但他们同样没有讨论模
形如金属/绝缘层/金属(MIM) 结构的器件在外加激 型中初态因素可能产生的影响, 而且也没有像Lee
励下, 呈现出高、低两种稳态电阻值相互更替的现 等那样利用模型对导电通道的形成过程进行描述.
象1−3 . 这类物理器件的电压电流本
文档评论（0）