考虑寄生参数的PWM变换器传导干扰预测.PDFVIP

中国科学: 技术科学 2012 年 第42 卷 第10 期: 1197 ~ 1203 SCIENCE CHINA PRESS 论 文 考虑寄生参数的PWM 变换器传导干扰预测 ①②* ①② ② 梁斌 , 魏克新 , 岳有军 ① 天津大学电气与自动化工程学院, 天津 300072; ② 天津市复杂工业系统控制理论及应用重点实验室(天津理工大学), 天津 300384 * E-mail: tjliangbin@126.com 收稿日期: 2011-12-26; 接受日期: 2012-05-07 国家自然科学基金(批准号: 、国家高技术研究发展计划(“863”计划)(批准号: 2008AA11A145) 、天津市科技支撑计划重点项目(批 准号: 09ZCKFGX01800)和天津市科技创新专项资金(批准号: 08FDZDGX02000) 资助 摘要 通过对三相变换器主电路各部分高频寄生参数的研究, 对变换器传导电磁干扰的 关键词 产生机理及共模、差模干扰耦合路径进行了分析, 给出了确立寄生参数及其拓扑结构的一种 寄生参数 方法, 提出了三相变换器系统的高频干扰预测模型并使用频域计算的方法得到了相应的频 PWM 共模 谱. 设计实验, 并以一台大功率整流器为对象进行了实验测试. 实验结果与计算结果的对比 差模 验证了理论分析的正确性. 功率变换器的EMC( 电磁兼容, Electro Magnetic 了研究. 这些研究成果对于深入认识电磁干扰形成 Compatibility) 问题已成为当今电力电子技术领域的 机理, 指导电磁兼容预测和系统设计有重要意义. [1] 热点问题之一 . 复杂的电磁环境、紧凑的系统结构 在中小容量变换器系统中, 通常采用的是中小 以及高频开关动作所造成的高dv/dt 和高di/dt 都给以 功率的电力电子器件, 器件应用技术较为成熟, 器件 IGBT(绝缘栅双极型晶体管, Insulated Gate Bipolar 裕量较高, 变换器的可靠性较高. 而大功率变换器集 Transistor) 为核心的PWM 变换器传导EMI( 电磁干扰, 高电压大电流于一体, 器件裕量不足, 寄生参数对系 Electro Magnetic Interference) 的研究工作带来了挑战. 统的影响较大, 其可靠性受到严峻的考验. 又由于高 近几年, 国内外该领域研究人员主要致力于变换器 压大容量变换器的技术门槛相对较高, 所以对大功 [2~9] [10~13] 传导电磁干扰机理分析 、抑制技术 及测量方 率变换器EMI 的研究是电力电子技术的重点和难点. 法[14, 15]等方面的研究. 此外, 随着功率等级的提高, 大容量变换器系统对耐 机理分析方面, 文献[3]在不破坏物理结构的情 压、绝缘、过流等能力的要求在不断的提高, 瞬时电 况下通过提取开关电源的寄生参数并对其高频特性 压电流变化率的脉冲能量也在提高. 这就需要应用 进行了分析. 文献[4]建立了带交流励磁双变流器的 许多大尺寸功率半导体器件、功率元器件, 从而导致 双馈电机传导干扰耦合通道